مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 4                   برگشت به فهرست مقالات | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


دانشگاه شهید بهشتی
چکیده:   (182 مشاهده)
در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده است. از سوی دیگر با استفاده از فین فت گیت مجزا به جای سی‌ماس می توان پاسخ فرکانسی و بهره را بهبود بخشید بدون آنکه توان اضافی مصرف شود. در مدل فین فت استفاده شده به دلیل دارا بودن دو گیت مجزا، می توان از یک گیت برای بایاس ترانزیستور و از گیت دیگر برای اعمال ورودی استفاده نمود. این مدار برای جبران سازی فرکانسی از سیستم DFC بهره برده است تا میزان خازن های جبران سازی کوچک شوند. برای طراحی مدار تقویت کننده هدایت انتقالی از مدل فین فت 20nm براساس مدل PTM استفاده شده است. در نهایت نتایج شبیه سازی با HSPICE مقدار بهره 39.27 dB، حاشیه فاز 45.05o و فرکانس بهره واحد 8.26 MHz به ازای خازن بار 3 pF با توان تلفاتی نهایی 37.75 µW می باشد. مقدار ولتاژ DC خروجی نیز در ولتاژ تغذیه VDD=0.5 V برابر 0.269 V قرارداده شده است. 
     
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1398/1/9 | پذیرش: 1399/3/31

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb