دوره 18، شماره 4 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 4 1400 )
جلد 18 شماره 4 صفحات 47-37 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Hassanzadeh A, Shirazi M. Design of a Low Voltage, Low Power Self-Biased OTA Using FinFET Transistors. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2021; 18 (4) :37-47
URL: http://jiaeee.com/article-1-843-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-843-fa.html
حسن زاده علیرضا، شیرازی مهدی. طراحی تقویت کننده هدایت انتقالی توان پایین، ولتاژ پایین خودبایاس شونده با ترانزیستورهای فین فت. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (4) :37-47
دانشکده مهندسی برق- دانشگاه شهید بهشتی- تهران
چکیده: (1759 مشاهده)
در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده است. از سوی دیگر با استفاده از فین فت گیت مجزا به جای سی‌ماس می توان پاسخ فرکانسی و بهره را بهبود بخشید بدون آنکه توان اضافی مصرف شود. در مدل فین فت استفاده شده به دلیل دارا بودن دو گیت مجزا، می توان از یک گیت برای بایاس ترانزیستور و از گیت دیگر برای اعمال ورودی استفاده نمود. این مدار برای جبران سازی فرکانسی از سیستم DFC بهره برده است تا میزان خازن های جبران سازی کوچک شوند. برای طراحی مدار تقویت کننده هدایت انتقالی از مدل فین فت 20nm براساس مدل PTM استفاده شده است. در نهایت نتایج شبیه سازی با HSPICE مقدار بهره 39.27 dB، حاشیه فاز 45.05o و فرکانس بهره واحد 8.26 MHz به ازای خازن بار 3 pF با توان تلفاتی نهایی 37.75 µW می باشد. مقدار ولتاژ DC خروجی نیز در ولتاژ تغذیه VDD=0.5 V برابر 0.269 V قرارداده شده است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
