مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 4                   برگشت به فهرست مقالات | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
چکیده:   (235 مشاهده)
چکیده: تقویت‌کننده‌های عملیاتی، یکی از پرکاربردترین بلوک‌های پایه‌ای در سیستم‌های آنالوگ و مختلط هستند. در این مقاله، تقویت کننده عملیاتی ترارسانایی چهار طبقه با سطح اشغال تراشه پایین پیشنهاد شده است. در این ساختار، از یک بلوک تمام تفاضلی همزمان به عنوان طبقه چهارم و شبکه جبران سازی استفاده شده است. جبران¬سازی تقویت¬کننده ارائه شده تنها با یک MOSCAP صورت گرفته که ضمن کاهش سطح اشغال تراشه، به سبب کاهش تعداد و مقادیر خازن جبران¬ساز، پهنای باند بهره و ضرایب شایستگی بهبود یافته است. سادگی و استحکام طرح امکان پیاده¬سازی در یک تراشه با ابعاد m μ¬210x250 را فراهم نموده است. تقویت¬کننده چهار طبقه پیشنهادی در تکنولوژی CMOS-mμ0.18  طراحی شده است. مزیت طرح، ارائه ساختاری است قابل پیاده¬سازی و مقاوم در برابر تغییرات پارامترهای مدار ناشی از پیاده¬سازی روی تراشه می¬باشد. بهره تقویت-کننده پیشنهادی 120dB و توان مصرفی 545µW و آهنگ چرخش V/µS 2.12، پهنای باند بهره 16.4MHz و حاشیه فاز 88 درجه می¬باشد.
     
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1399/5/31 | پذیرش: 1400/2/11

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb