نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران الکترونیک ایران

Mendeley  

Zotero  

Shakiba M, Shakiba M. Mathematical modeling and simulation of the growth of ZnO thin films in Ar/O2 plasma. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2021; 18 (4) :119-128
URL: http://jiaeee.com/article-1-955-fa.html

 نظر به کاربرد گسترده لایه های نازک اکسید روی در ساخت حسگرها و سلول های خورشیدی نسل دوم و سوم، هدف از این تحقیق، تحلیل و شبیه­ سازی فرآیند لایه­ نشانی اکسید روی در سامانه کندوپاش مگنترونی مستقیم است. در این راستا، ابتدا مدل­ ریاضی ارائه شده برای فرآیند لایه­ نشانی در نرم­ افزار RSD2013، مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته و پس از آن نتایج حاصل از شبیه­ سازی فرآیند لایه ­نشانی اکسید روی با استفاده از تارگت روی، در پلاسمای Ar/O₂،  تجزیه و تحلیل شده ­اند. همچنین، با توجه به تأثیر مشخصه­ های پلاسما بر فرآیند لایه­ نشانی، از نرم­ افزار XPDP1 به منظور شبیه­ سازی پلاسمای سامانه کندوپاش استفاده شده است. معادلات دیفرانسیلی وابسته به زمان استفاده شده در RSD2013، بسیاری از پدیده­ های فیزیکی از جمله جذب شیمیایی گاز واکنشی از طریق تارگت و زیرلایه، لانه گزینی مستقیم و ضربه ­ای ذرات گاز واکنشی در تارگت، تشکیل ترکیبات کامپوند در نواحی زیر سطح تارگت، رسوب ذرات اسپاتر شده از تارگت روی سطح زیرلایه و بازگشت کسری از آن ذرات به سمت تارگت، و نیز رسوب مجدد ذرات اسپاتر شده روی سطح تارگت را در بر دارد. نتایج حاصل از شبیه­ سازی، در بهبود کیفیت اکسید روی لایه­ نشانی شده در سامانه­ های عملی کندوپاش واکنشی مؤثر خواهد بود.