دوره 18، شماره 4 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 4 1400 )                   جلد 18 شماره 4 صفحات 128-119 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Shakiba M, Shakiba M. Mathematical modeling and simulation of the growth of ZnO thin films in Ar/O2 plasma. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2021; 18 (4) :119-128
URL: http://jiaeee.com/article-1-955-fa.html
شکیبا محسن، شکیبا مریم. مدل سازی ریاضی و شبیه سازی فرآیند لایه نشانی اکسید روی در پلاسمای Ar/O2. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (4) :128-119

URL: http://jiaeee.com/article-1-955-fa.html


دانشگاه صنعتی جندی شاپور دزفول
چکیده:   (351 مشاهده)
 نظر به کاربرد گسترده لایه های نازک اکسید روی در ساخت حسگرها و سلول های خورشیدی نسل دوم و سوم، هدف از این تحقیق، تحلیل و شبیه­ سازی فرآیند لایه­ نشانی اکسید روی در سامانه کندوپاش مگنترونی مستقیم است. در این راستا، ابتدا مدل­ ریاضی ارائه شده برای فرآیند لایه­ نشانی در نرم­ افزار RSD2013، مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته و پس از آن نتایج حاصل از شبیه­ سازی فرآیند لایه ­نشانی اکسید روی با استفاده از تارگت روی، در پلاسمای Ar/O2،  تجزیه و تحلیل شده ­اند. همچنین، با توجه به تأثیر مشخصه­ های پلاسما بر فرآیند لایه­ نشانی، از نرم­ افزار XPDP1 به منظور شبیه­ سازی پلاسمای سامانه کندوپاش استفاده شده است. معادلات دیفرانسیلی وابسته به زمان استفاده شده در RSD2013، بسیاری از پدیده­ های فیزیکی از جمله جذب شیمیایی گاز واکنشی از طریق تارگت و زیرلایه، لانه گزینی مستقیم و ضربه ­ای ذرات گاز واکنشی در تارگت، تشکیل ترکیبات کامپوند در نواحی زیر سطح تارگت، رسوب ذرات اسپاتر شده از تارگت روی سطح زیرلایه و بازگشت کسری از آن ذرات به سمت تارگت، و نیز رسوب مجدد ذرات اسپاتر شده روی سطح تارگت را در بر دارد. نتایج حاصل از شبیه­ سازی، در بهبود کیفیت اکسید روی لایه­ نشانی شده در سامانه­ های عملی کندوپاش واکنشی مؤثر خواهد بود.
متن کامل [PDF 511 kb]   (34 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1398/5/11 | پذیرش: 1399/8/3 | انتشار: 1400/7/22

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb