دوره 13، شماره 4 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 13 شماره 4 1395 )
جلد 13 شماره 4 صفحات 50-41 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Khatami M M, Shalchian M, Kolahdouz M. Analysis and Improvement of Off-state Current in Biaxially Strained Si Nano p-MOSFET by Virtual Substrate’s Doping Control. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2017; 13 (4) :41-50
URL: http://jiaeee.com/article-1-44-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-44-fa.html
خاتمی محمدمهدی، شالچیان مجید، کلاهدوز محمدرضا. تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش نانو ماسفت کرنشی دومحوره سیلیکانی نوع p با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1395; 13 (4) :41-50
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه تربیت مدرس- تهران- ایران
چکیده: (4551 مشاهده)
در ماسفت کرنشی دومحوره نوع p سیلیکانی، وجود کانال پارازیتی موازی کانال اصلی، با افزایش جریان حالت خاموش، عملکرد ماسفت را با مشکل مواجه میکند. در این مقاله، روشی برای حذف این کانال پارازیتی و بهبود جریان حالت خاموش، با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی ارائه میشود و سپس بوسیلهی شبیه ساز، نتایج بررسی میگردد. نتایج شبیه سازی نشان میدهد با افزایش دوپینگ بستر مجازی تا مقدار 17^10*4، ضمن تشکیل کانال با موبیلیتی موثر بالا، جریان حالت خاموش تا بیش از 4-10 برابر کاهش مییابد. این روش در طول کانالهای مختلف موثر بوده و همچنین باعث بهبود مقاومت خروجی ماسفت میگردد.
نوع مقاله: پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک
دریافت: 1395/10/28 | پذیرش: 1395/10/28 | انتشار: 1395/10/28
دریافت: 1395/10/28 | پذیرش: 1395/10/28 | انتشار: 1395/10/28
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
