دوره 13، شماره 4 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 13 شماره 4 1395 )                   جلد 13 شماره 4 صفحات 41-50 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Khatami M M, Shalchian M, Kolahdouz M. Analysis and Improvement of Off-state Current in Biaxially Strained Si Nano p-MOSFET by Virtual Substrate’s Doping Control. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2017; 13 (4) :41-50
URL: http://jiaeee.com/article-1-44-fa.html
خاتمی محمدمهدی، شالچیان مجید، کلاهدوز محمدرضا. تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش نانو ماسفت کرنشی دومحوره سیلیکانی نوع p با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی. مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1395; 13 (4) :41-50

URL: http://jiaeee.com/article-1-44-fa.html


دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه تربیت مدرس- تهران- ایران
چکیده:   (2717 مشاهده)

در ماسفت کرنشی دومحوره نوع p سیلیکانی، وجود کانال پارازیتی موازی کانال اصلی، با افزایش جریان حالت خاموش، عملکرد ماسفت را با مشکل مواجه می­کند. در این مقاله، روشی برای حذف این کانال پارازیتی و بهبود جریان حالت خاموش، با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی ارائه می­شود و سپس بوسیله­ی شبیه ساز، نتایج بررسی می­گردد. نتایج شبیه سازی نشان می­دهد با افزایش دوپینگ بستر مجازی تا مقدار 17^10*4، ضمن تشکیل کانال با موبیلیتی موثر بالا، جریان حالت خاموش تا بیش از 4-10 برابر کاهش می­یابد. این روش در طول کانال­های مختلف موثر بوده و همچنین باعث بهبود مقاومت خروجی ماسفت می­گردد.

متن کامل [PDF 629 kb]   (1046 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1395/10/28 | پذیرش: 1395/10/28 | انتشار: 1395/10/28

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2020 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb