Aminzadeh H, Miralaei M, Dashti M A. Design and Modeling of Room-Temperature Analog-to-Digital Converters based on Nano-scale Semiconductor Quantum-dot Single Electron Transistors. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2017; 14 (2) :75-86
URL:
http://jiaeee.com/article-1-390-fa.html
امین زاده حامد، میرعلایی محمد، دشتی محمد علی. طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانوترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1396; 14 (2) :75-86
URL: http://jiaeee.com/article-1-390-fa.html
دانشکده مهندسی برق - دانشگاه پیام نور- تهران - ایران
چکیده: (4708 مشاهده)
در این مقاله، جزئیات طراحی و مدلسازی یک مبدل آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق با استفاده از نانوترانزیستورهای تکالکترونی با جزیره کوانتوم نقطهای سیلیکونی ارائه شده است. در مقایسه با نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره فلزی، استفاده از جزایر سیلیکونی در حد چند نانومتر سبب میشود که ترانزیستور عملکرد مطلوبی دردمای اتاق داشته باشد و نظام انسداد و نوسان کولنی آن پایدار گردد. نانو ترانزیستورهای با جزیره سیلیکونی همچنین هم خوانی بیشتری با فرآیند ساخت CMOS دارند و میتوان آن دو را به صورت ترکیبی و بر روی یک بستر مشترک پیاده سازی کرد. مبدل آنالوگ به دیجیتال این مقاله ، از نوسان های کولنی پایدار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستورهای تک الکترونی سیلیکونی در دمای اتاق بهر هبرداری میکند. نمونه سه بیتی شبیه سازی شده از آن با فرکانس نمونهبرداری 5 GS/s، از آرایش مقسم خازنی و سه زوج ترانزیستور تک الکترونی در آرایش مکمل استفاده می کند. شبیه سازی آن با استفاده از شبیهساز مونت-کارلوی سایمون انجام گرفته است و نتایج بدست آمده حکایت از عملکرد پایدار ایستا و پویا در دمای اتاق دارد.
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1396/6/13 | پذیرش: 1396/6/13 | انتشار: 1396/6/13