[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: صفحه اصلي :: درباره نشريه :: آخرين شماره :: تمام شماره‌ها :: جستجو :: ثبت نام :: ارسال مقاله :: تماس با ما ::
:: دوره 14، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 14 شماره 2 1396 ) ::
جلد 14 شماره 2 صفحات 75-86 برگشت به فهرست نسخه ها
طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانوترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی
دکتر حامد امین زاده ، آقای محمد میرعلایی، آقای محمد علی دشتی
دانشیار دانشکده مهندسی برق - دانشگاه پیام نور- تهران - ایران
چکیده:   (215 مشاهده)
در این مقاله، جزئیات طراحی و مدل­سازی یک مبدل آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق با استفاده از نانوترانزیستورهای تک­الکترونی با جزیره کوانتوم ­نقطه­ای سیلیکونی ارائه شده است. در مقایسه با نانو ترانزیستورهای تک ­الکترونی با جزیره فلزی، استفاده از جزایر سیلیکونی در حد چند نانومتر سبب می­شود که ترانزیستور عملکرد مطلوبی­ دردمای اتاق داشته باشد و نظام انسداد و نوسان کولنی آن پایدار گردد. نانو ترانزیستورهای با جزیره سیلیکونی همچنین هم خوانی بیشتری با فرآیند ساخت CMOS دارند و می­توان آن دو را به صورت ترکیبی و بر روی یک بستر مشترک پیاده­ سازی کرد. مبدل آنالوگ به دیجیتال این مقاله ، از نوسان ­های کولنی پایدار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستورهای تک الکترونی سیلیکونی  در دمای اتاق بهر ه­برداری می­کند. نمونه سه­ بیتی شبیه ­سازی شده از آن با فرکانس نمونه­برداری 5 GS/s، از آرایش مقسم خازنی و سه زوج ترانزیستور تک الکترونی در آرایش مکمل استفاده می کند. شبیه ­سازی آن با استفاده از شبیه­ساز مونت-کارلوی سایمون انجام گرفته است و نتایج بدست آمده حکایت از عملکرد پایدار ایستا و پویا در دمای اتاق دارد.
واژه‌های کلیدی: نانوترانزیستورهای تک الکترونی، فرآیند ساخت نانو، دمای اتاق، رژیم انسدادکولنی، مبدل های آنالوگ به دیجیتال با سرعت بالا و نوسان های کولنی
متن کامل [PDF 427 kb]   (95 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۶/۶/۱۳ | پذیرش: ۱۳۹۶/۶/۱۳ | انتشار: ۱۳۹۶/۶/۱۳
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

کد امنیتی را در کادر بنویسید >



XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Aminzadeh H, Miralaei M, Dashti M A. Design and Modeling of Room-Temperature Analog-to-Digital Converters based on Nano-scale Semiconductor Quantum-dot Single Electron Transistors. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2017; 14 (2) :75-86
URL: http://jiaeee.com/article-1-390-fa.html
امین زاده حامد، میرعلایی محمد، دشتی محمد علی. طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانوترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی. مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1396; 14 (2) :75-86

URL: http://jiaeee.com/article-1-390-fa.html

دوره 14، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 14 شماره 2 1396 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers
Persian site map - English site map - Created in 0.051 seconds with 797 queries by yektaweb 3531