مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد ۲۲ شماره ۱
برگشت به فهرست مقالات |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشگاه شهرکرد
چکیده: (۳۹۷ مشاهده)
در این مقاله، به بررسی و شبیه‌سازی جامع مقاومت سورس و درین (Rsd) در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دولایه (DI-SOI) با کانال 22 نانومتر پرداخته می‌شود. برای اولین بار، اثر ناحیه کاشت یونی با ابعاد مختلف بر مقاومت سورس و درین افزاره ی مذکور به طور کامل بررسی و شبیه‌سازی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که مقاومت سورس و درین به طور قابل توجهی تحت تاثیر ابعاد و نوع ناحیه کاشت یونی قرار می‌گیرد. بهینه سازی ابعاد و نوع ناحیه یونی می‌تواند این مقاومت را تا 5 برابر کاهش دهد. این مطالعه نشان می‌دهد که استفاده از ناحیه یونی با ابعاد مناسب می‌تواند به طور قابل توجهی مقاومت سورس و درین را در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دولایه با کانال 22 نانومتر کاهش دهد. این امر می‌تواند به بهبود عملکرد و کارایی این ترانزیستورها در کاربردهای مختلف الکترونیکی منجر شود.
واژه‌های کلیدی: سیلیکون روی عایق، سیلیکون روی الماس، سیلیکون روی الماس با عایق دولایه، مقاومت سورس و درین، مقاومت کانال، ماسفت
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
