دوره ۱۱، شماره ۲ - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد ۱۱ شماره ۲ ۱۳۹۳ )
جلد ۱۱ شماره ۲ صفحات ۱۶-۹ |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Zahiri Z, Hosseini S E, Kabirian Dehkordi B. Introduce of Bipolar junction transistor based on concept of surface inversion. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2014; 11 (2) :9-16
URL: http://jiaeee.com/article-1-133-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-133-fa.html
ظهیری زینب، حسینی سید ابراهیم، کبیریان دهکردی بهنام. معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. ۱۳۹۳; ۱۱ (۲) :۹-۱۶
چکیده: (۴۵۲۷ مشاهده)
در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه میشود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+ امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده بهره جریان قابل توجه و فرکانس قطع بسیار بالایی دارد.
نوع مقاله: پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک
دریافت: 1395/11/18 | پذیرش: 1395/11/18 | انتشار: 1395/11/18
دریافت: 1395/11/18 | پذیرش: 1395/11/18 | انتشار: 1395/11/18
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
