Salmanpour A, Berahman M. Memristor Bridge Synapse Application for Integrate and Fire and Hodgkin-Huxley Neuron Cell. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2023; 20 (1) :9-14
URL:
http://jiaeee.com/article-1-1304-fa.html
سلمان پور آوا، برهمن مسعود. کاربرد ممریستور به عنوان سیناپس در سلول های عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1402; 20 (1) :9-14
URL: http://jiaeee.com/article-1-1304-fa.html
دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته
چکیده: (1163 مشاهده)
مقاومت حافظهدار یا ممریستور Memristor که امروزه به عنوان چهارمین عنصر مدارهای الکتریکی شناخته میشود، عنصری دو پایه است که عملکردی شبیه مقاومت دارد و در ابعاد نانو ساخته میشود. بر طبق منحنی هیسترزیس آن میتوان ثابت نمود که مقدار این مقاومت در طول زمان ثابت باقی میماند و مقدار این مقاومت به مقدار، پلاریته و زمان ولتاژ اعمال بستگی دارد. منحنی هیسترزیس جریان–ولتاژ در ممریستور باعث میشود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد. ممریستور میتواند جایگزین بسیاری از ترانزیستورها در بعضی از مدارات شده و جای کمتری اشغال کند. در این مقاله از یک پل ممریستوری متشکل از چهار ممریستور به عنوان یک سیناپس برای اتصال دو سلول عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی استفاده شده است. استفاده از سیناپس پل ممریستور در معماری پیشنهادی یکی از مشکلات عمده مربوط به ذخیره وزن غیرفرار در شبکه عصبی آنالوگ را حل میکند. با تغییر مقدارهای مختلف هر ممریستور وزن سیناپسی تغییر و قابل برنامهریزی خواهد بود و مشخصه ولتاژ و جریان این سیناپس ممریستوری و تغییرات وزن آن روی رفتار سلولهای عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی بررسی خواهد شد.
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1400/2/2 | پذیرش: 1401/7/9 | انتشار: 1401/10/6