دوره 20، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 20 شماره 1 1402 )                   جلد 20 شماره 1 صفحات 14-9 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Salmanpour A, Berahman M. Memristor Bridge Synapse Application for Integrate and Fire and Hodgkin-Huxley Neuron Cell. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2023; 20 (1) :9-14
URL: http://jiaeee.com/article-1-1304-fa.html
سلمان پور آوا، برهمن مسعود. کاربرد ممریستور به عنوان سیناپس در سلول های عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران 1402; 20 (1) :14-9

URL: http://jiaeee.com/article-1-1304-fa.html


دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان
چکیده:   (186 مشاهده)
مقاومت حافظه‌دار یا ممریستور Memristor که امروزه به عنوان چهارمین عنصر مدارهای الکتریکی شناخته می­شود، عنصری دو پایه است که عملکردی شبیه مقاومت دارد و در ابعاد نانو ساخته می­شود. بر طبق منحنی هیسترزیس آن می­توان ثابت نمود که مقدار این مقاومت در طول زمان ثابت باقی می­ماند و مقدار این مقاومت به مقدار، پلاریته و زمان ولتاژ اعمال بستگی دارد. منحنی هیسترزیس جریانولتاژ در ممریستور باعث می­شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد. ممریستور می­تواند جایگزین بسیاری از ترانزیستورها در بعضی از مدارات شده و جای کمتری اشغال کند. در این مقاله از یک پل ممریستوری متشکل از چهار ممریستور به عنوان یک سیناپس برای اتصال دو سلول عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی استفاده شده است. استفاده از سیناپس پل ممریستور در معماری پیشنهادی یکی از مشکلات عمده مربوط به ذخیره وزن غیرفرار در شبکه عصبی آنالوگ را حل می­کند. با تغییر مقدارهای مختلف هر ممریستور وزن سیناپسی تغییر و قابل برنامه­ریزی خواهد بود و مشخصه ولتاژ و جریان این سیناپس ممریستوری و تغییرات وزن آن روی رفتار سلول­های عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی بررسی خواهد شد.
 
متن کامل [PDF 924 kb]   (63 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1400/2/2 | پذیرش: 1401/7/9 | انتشار: 1401/10/6

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2023 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb