در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (R-D)، مدلهایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) در یک MOSFET سه گیتی کانال P و پدیده تزریق حاملهای پرانرژی (HCI) در یک افزاره FinFET سه گیتی توده کانال N ارائه میشود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی میشود. نتایج به دست آمده در مقاله بیانگر این است که در افزارههای سه گیتی به علت ساختار افزاره و اثر گوشههای بدنه، تولید تله در اثر پدیدههای NBTI و HCI، نسبت به افزارههای MOSFET مسطح بیشتر و طول عمر افزاره کمتر میباشد. همچنین در ادامه اثر بدنه شناور روی پدیده NBTI در یک افزاره MOSFET دوگیتی با استفاده از روش حل یک بعدی معادله پواسون در ناحیهی وارونگی مدل میشود و با حالت وجود اتصال بدنه مقایسه میشود. نتایج حاصل با استفاده از روش حل عددی FDM تأیید میشود و نتایج حاصل بیانگر این است که به علت تجمع الکترونهای حاصل از تولید تلهها در اثر پدیده NBTI در بدنه شناور و اثر این الکترونها در کاهش میدان اکسید، اثر این پدیده در افزارههای دارای بدنه شناور کم شده و طول عمر افزاره افزایش مییابد.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |