دوره 12، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 12 شماره 2 1394 )                   جلد 12 شماره 2 صفحات 14-1 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ghobadi N, Afzali-Kusha A. Investigation and Modeling of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and Hot Carrier Injection (HCI) Induced Degradation in Multi-Gate Nano-Devices. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2015; 12 (2) :1-14
URL: http://jiaeee.com/article-1-106-fa.html
قبادی نیره، افضلی کوشا علی. بررسی و مدل‌سازی اثر ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) و تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI) در افزاره‌های چندگیتی نانومتری. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1394; 12 (2) :1-14

URL: http://jiaeee.com/article-1-106-fa.html

بررسی و مدل‌سازی اثر ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) و تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI) در افزاره‌های چندگیتی نانومتری
نیره قبادی* ، علی افضلی کوشا
چکیده:   (4394 مشاهده)

در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (R-D)، مدل‌هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) در یک MOSFET سه گیتی کانال P و پدیده تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI) در یک افزاره FinFET سه گیتی توده کانال N ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می‌شود. نتایج به دست آمده در مقاله بیانگر این است که در افزاره­های سه گیتی به علت ساختار افزاره و اثر گوشه­های بدنه، تولید تله در اثر پدیده­های NBTI و HCI، نسبت به افزاره‌های MOSFET مسطح بیشتر و طول عمر افزاره کمتر می­باشد. همچنین در ادامه اثر بدنه شناور روی پدیده NBTI در یک افزاره MOSFET دوگیتی با استفاده از روش حل یک بعدی معادله پواسون در ناحیه‌ی وارونگی مدل می‌شود و با حالت وجود اتصال بدنه مقایسه می‌شود. نتایج حاصل با استفاده از روش حل عددی FDM تأیید می‌شود و نتایج حاصل بیانگر این است که به علت تجمع الکترون­های حاصل از تولید تله­ها در اثر پدیده NBTI در بدنه شناور و اثر این الکترون­ها در کاهش میدان اکسید، اثر این پدیده‌ در افزاره­های دارای بدنه شناور کم شده و طول عمر افزاره افزایش می‌یابد.

واژه‌های کلیدی: : ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI)، تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI)، افزاره‌های چند گیتی، مدل واکنش-نفوذ (R-D)، اثر بدنه شناور، معادله پواسون
متن کامل [PDF 8087 kb]   (1227 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1395/11/16 | پذیرش: 1395/11/16 | انتشار: 1395/11/16
ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb