دوره 15، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 15 شماره 2 1397 )                   جلد 15 شماره 2 صفحات 1-7 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

bajelan F, yazdanpanah A, faez R, darvish G. Investigation Performance of p-type Junctionless Field Effect Transistors with InGaP, InP and Si Channel Materials. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2018; 15 (2) :1-7
URL: http://jiaeee.com/article-1-638-fa.html
باجلان فرشاد، یزدان پناه گوهرریزی آرش، فائز رحیم، درویش غفار. بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوعP با مواد کانالSi ,InP, InGaP. مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1397; 15 (2) :1-7

URL: http://jiaeee.com/article-1-638-fa.html


دانشکده فنی- دانشگاه آزاداسلامی واحد علوم و تحقیقات-تهران
چکیده:   (904 مشاهده)
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد InGaP، InP و Si مورد بررسی قرار گرفته است. گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت (GAA) انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان حالت روشن به خاموش در این ادوات مورد بررسی قرار گرفته است. مشکل اصلی ترانزیستورهای بدون پیوند، جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه می­باشد. با انتخاب مواد با شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا در باند ظرفیت می­توان جریان حالت خاموش را کاهش داد، بدون اینکه جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا کند. از این رو ترانزیستور بدون پیوند با کانال InGaP دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه است. برای این ترانزیستور مقادیر دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است باmV/V14،  mV/dec1/61،A15-10×26/A6-10×94/5 و109×62/2.
متن کامل [PDF 2136 kb]   (444 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۷/۵/۱۱ | پذیرش: ۱۳۹۷/۵/۱۱ | انتشار: ۱۳۹۷/۵/۱۱

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2018 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb