دوره 14، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 14 شماره 2 1396 )                   جلد 14 شماره 2 صفحات 107-113 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Amiri P, Hedayatipour A, Aslanzadeh S. Sub 1-V, 15ppm/Micro implantable voltage reference design using native transistor. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2017; 14 (2) :107-113
URL: http://jiaeee.com/article-1-393-fa.html
امیری پرویز، هدایتی پور آوا، اصلان زاده شقایق. طراحی مرجع ولتاژ زیر یک ولت قابل کاشت در بدن با دقت ppm/میکرومتر15 با استفاده از ترانزیستورهای ذاتی(Native). مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1396; 14 (2) :107-113

URL: http://jiaeee.com/article-1-393-fa.html


استادیار دانشکده مهندسی برق- دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی- تهران- ایران
چکیده:   (601 مشاهده)
در این مقاله با توجه به افزایش نیاز به مراجع ولتاژ با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه پایین به خصوص در تجهیزات پزشکی، یک مرجع ولتاژ، با استفاده از اختلاف ولتاژ آستانه(Vth) یک ترانزیستور ذاتی(Native) و یک ترانزیستور معمولی اثر میدان(FET) ارائه شده است. پس از شبیه سازی با استفاده از تکنولوژی 0.18، مقدار ضریب دمایی ppm℃15 و مقدار حساسیت خط %/V0.98 بدست آمد. حداقل ولتاژ تغذیه برای این مدار 0.7 و توان مصرفی در دمای اتاق 700 نانو وات و ولتاژ خروجی 370 میلی آمپر است که این مرجع را برای تجهیزات نانو آمپری مناسب میسازد. در انتها برای بیاثر کردن تغییرات پروسه یک روش برای تنظیم دیجیتال این نوع مراجعولتاژ ارائه شده است.
متن کامل [PDF 493 kb]   (189 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۶/۶/۱۳ | پذیرش: ۱۳۹۶/۶/۱۳ | انتشار: ۱۳۹۶/۶/۱۳

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2018 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb