دوره 14، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 14 شماره 2 1396 )
جلد 14 شماره 2 صفحات 113-107 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Amiri P, Hedayatipour A, Aslanzadeh S. Sub 1-V, 15ppm/Micro implantable voltage reference design using native transistor. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2017; 14 (2) :107-113
URL: http://jiaeee.com/article-1-393-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-393-fa.html
امیری پرویز، هدایتی پور آوا، اصلان زاده شقایق. طراحی مرجع ولتاژ زیر یک ولت قابل کاشت در بدن با دقت ppm/میکرومتر15 با استفاده از ترانزیستورهای ذاتی(Native). نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1396; 14 (2) :107-113
دانشکده مهندسی برق- دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی- تهران- ایران
چکیده: (5302 مشاهده)
در این مقاله با توجه به افزایش نیاز به مراجع ولتاژ با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه پایین به خصوص در تجهیزات پزشکی، یک مرجع ولتاژ، با استفاده از اختلاف ولتاژ آستانه(Vth) یک ترانزیستور ذاتی(Native) و یک ترانزیستور معمولی اثر میدان(FET) ارائه شده است. پس از شبیه سازی با استفاده از تکنولوژی 0.18، مقدار ضریب دمایی ppm℃15 و مقدار حساسیت خط %/V0.98 بدست آمد. حداقل ولتاژ تغذیه برای این مدار 0.7 و توان مصرفی در دمای اتاق 700 نانو وات و ولتاژ خروجی 370 میلی آمپر است که این مرجع را برای تجهیزات نانو آمپری مناسب می‌سازد. در انتها برای بی‌اثر کردن تغییرات پروسه یک روش برای تنظیم دیجیتال این نوع مراجعولتاژ ارائه شده است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
