دوره 18، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 1 1400 )
جلد 18 شماره 1 صفحات 28-17 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Tohidi M, Molaeezadeh S F, Gandomkar M. The Effect of DTMOS Transistors on the Performance of a Memristor-based Ternary CAM Cell in Low Power Applications. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2021; 18 (1) :17-28
URL: http://jiaeee.com/article-1-851-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-851-fa.html
توحیدی مریم، مولایی‌زاده سیده فاطمه، گندم کار مجتبی. تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :17-28
دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول، دزفول، ایران
چکیده: (2688 مشاهده)
در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال مستقیم گیت و بدنه (DT1)، اتصال مستقیم درین و بدنه (DT2) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت (DT3). نتایج شبیه‌سازی سلول‌های MTCAM مبتنی بر DTMOS در مقایسه با سلول MTCAM مبتنی بر ماسفت نشان می‌دهد روش DT1 باعث بهبود توان مصرفی کل و حاصل‌ضرب توان و تاخیر (PDP) به ترتیب به میزان %86 و %42 اما افزایش تاخیر به میزان %30 می‌شود، روش DT2 باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %87 و %60 اما افزایش تاخیر به میزان %20 می‌شود و روش DT3 باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %89 و 74% اما افزایش تاخیر به میزان %14 می‌شود. بنابراین، سلول DT3-MTCAM کمترین توان مصرفی و تاخیر را دارد و برای کاربردهای توان پایین مناسب‌تر است. شبیه‌سازی‌ها در فرکانس 40 مگاهرتز و تکنولوژی 180 نانومتر CMOS انجام شده است.
واژه‌های کلیدی: حافظه‌ی CAM، منطق سه‌ارزشی، ممریستور، ترانزیستور DTMOS، بایاس مستقیم بدنه، توان پایین.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
