دوره 18، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 1 1400 )                   جلد 18 شماره 1 صفحات 17-28 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Tohidi M, Molaeezadeh S F, Gandomkar M. The Effect of DTMOS Transistors on the Performance of a Memristor-based Ternary CAM Cell in Low Power Applications. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2021; 18 (1) :17-28
URL: http://jiaeee.com/article-1-851-fa.html
توحیدی مریم، مولایی‌زاده سیده فاطمه، گندم کار مجتبی. تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :17-28

URL: http://jiaeee.com/article-1-851-fa.html


دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر- دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول- دزفول- ایران
چکیده:   (1489 مشاهده)
در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سهارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال‌ مستقیم گیت  و بدنه (DT1)، اتصال مستقیم درین و بدنه (DT2) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت (DT3). نتایج شبیه‌سازی سلول‌های  MTCAM مبتنی بر DTMOS در مقایسه با سلول MTCAM‌ مبتنی بر ماسفت نشان می‌دهد روش DT1 باعث بهبود توان مصرفی کل و حاصل‌ضرب توان و تاخیر (PDP) به ترتیب به میزان %86 و %42 اما افزایش تاخیر به میزان %30 می‌شود، روش DT2 باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %87 و %60 اما افزایش تاخیر به میزان %20 می‌شود و روش DT3  باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %89 و 74% اما افزایش تاخیر به میزان %14 می‌شود. بنابراین، سلول DT3-MTCAM کمترین توان مصرفی و تاخیر را دارد و برای کاربردهای توان پایین مناسبتر است. شبیه‌سازی‌ها  در فرکانس 40 مگاهرتز و تکنولوژی 180 نانومتر CMOS انجام شده است.
متن کامل [PDF 1204 kb]   (279 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1398/2/1 | پذیرش: 1398/11/13 | انتشار: 1400/1/1

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb