Bashiri N, Hosseini R. Design and Analysis of a Multi Material Double Gate Junctionless Tunnel Field Effect Transistor. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2021; 18 (4) :71-77
URL:
http://jiaeee.com/article-1-711-fa.html
بشیری نگار، حسینی رضا. طراحی و تحلیل یک ترانزیستور اثرمیدانی تونلی بدون پیوند دو گیتی با ساختار گیت چند ماده ای. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (4) :71-77
URL: http://jiaeee.com/article-1-711-fa.html
دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی
چکیده: (2455 مشاهده)
در این مقاله، یک ترانزیستور اثرمیدانی دو گیتی تونلی بدون پیوند با ساختار گیت چند ماده ای (Multi Material DG JL TFET) ارائه شده و عملکرد آن براساس سطوح نوارهای انرژی مورد بررسی قرار گرفته است. تمام شبیه سازیها توسط نرم افزار سیلواکو انجام گرفته است. تأثیر مینیمم محلی نوار هدایت در شدت انتقال بین حالت های روشن و خاموش نشان داده شده است. از نتایج بدست آمده مشخص شد با انتخاب مقدار مناسب تابع کار برای فلزات گیت ساختار ارائه شده، می توان به جریان حالت خاموش پایین، شیب زیر آستانه پایین، جریان حالت روشن بالا و نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش بهبود یافته ای دست یافت. همچنین در این مقاله مشخصه های الکتریکی ساختار دو گیتی با گیت چند ماده ای با مشخصه های ساختار گیت یک ماده ای و دو ماده ای مقایسه گردید. ساختار پیشنهادی ولتاژ آستانه کمتر، جریان حالت روشن بالاتر و نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش بالاتری در مقایسه با سایر ساختارها نشان داد. در نهایت، با مقایسه پاسخ فرکانسی ساختارهای ارائه شده مشخص گردید ساختار با گیت چند ماده ای دارای ترارسانایی و فرکانس قطع بالایی است.
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1397/8/7 | پذیرش: 1398/2/23 | انتشار: 1400/7/22