دوره 18، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 1 1400 )                   جلد 18 شماره 1 صفحات 9-16 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

ghaziasadi H, nayebi P. Rectification in Graphene Self-Switching Nanodiode Using Side Gates Doping. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2021; 18 (1) :9-16
URL: http://jiaeee.com/article-1-679-fa.html
قاضی اسدی حسن، نایبی پیمان. یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :9-16

URL: http://jiaeee.com/article-1-679-fa.html


دانشکده فنی ومهندسی- واحد ساوه -دانشگاه آزاد اسلامی- ساوه
چکیده:   (1260 مشاهده)
خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیود­های خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیت­های جانبی با اتم­های نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت­های ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت­ها و کانال نیمه­هادی می­گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتم­های بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتم­های بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار μA56/8 است.
متن کامل [PDF 1600 kb]   (224 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1397/7/9 | پذیرش: 1398/7/23 | انتشار: 1400/1/1

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb