دوره 15، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 15 شماره 2 1397 )
جلد 15 شماره 2 صفحات 23-17 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
hejazifar M J, sedigh ziabari S A. Investigation of Effect of Channel Impurity Haloand its Concentration Slope in the Linear Halo Lightly Doped
Drain and Source CNTFET
. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2018; 15 (2) :17-23
URL: http://jiaeee.com/article-1-640-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-640-fa.html
حجازی فر محمدجواد، صدیق ضیابری سید علی. بررسی اثر هاله ناخالصی کانال و شیب غلظت آن در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با هاله خطی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1397; 15 (2) :17-23
واحد سما تالش- دانشگاه آزاد اسلامی
چکیده: (4070 مشاهده)
در این تحقیق ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با یک هاله ناخالصی خطی در کانال پیشنهاد شده و اثر تغییر شیب آلایش هاله خطی بر شاخص های جریان روشنایی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای جریان روشنایی، جریان نشتی، شاخص توان تاخیر و فرکانس قطع بررسی می شود. ترانزیستور پیشنهادی با استفاده از روش NEGF شبیه سازی شده است. نشان داده ایم که ناحیه هاله خطی نوع N در طرف سورس کانال ذاتی، سبب افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای 
می شود. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز، سبب افزایش جریان روشنایی و البته افزایش شاخص توان تاخیر می شود. همچنین با بررسی اثر تغییر غلظت ناحیه کم غلظت سورس و درین مشاهده می شود که در غلظت های کمتر، شاخص توان تاخیر و وابستگی آن به شیب هاله کاهش می یابد. با محاسبه فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با هاله خطی نشان دادیم که ایجاد هاله خطی یک راه کار افزایش فرکانس قطع افزاره است. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز سبب بهبود مشخصه فرکانس قطع به ازای ولتاژ گیت می شود.
می شود. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز، سبب افزایش جریان روشنایی و البته افزایش شاخص توان تاخیر می شود. همچنین با بررسی اثر تغییر غلظت ناحیه کم غلظت سورس و درین مشاهده می شود که در غلظت های کمتر، شاخص توان تاخیر و وابستگی آن به شیب هاله کاهش می یابد. با محاسبه فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با هاله خطی نشان دادیم که ایجاد هاله خطی یک راه کار افزایش فرکانس قطع افزاره است. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز سبب بهبود مشخصه فرکانس قطع به ازای ولتاژ گیت می شود.
واژه‌های کلیدی: ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی(CNTFET)، آلایش سبک ناحیه سورس و درین(LDDS)، فرکانس قطع، هاله خطی (LH)، تابع گرین غیرتعادلی (NEGF)
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
