دوره 16، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2 1398 )                   جلد 16 شماره 2 صفحات 45-37 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
aliparast P, farhadi A. Design of X Band High Power Amplifier MMIC Based on AlGaN/GaN HEMT. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2019; 16 (2) :37-45
URL: http://jiaeee.com/article-1-531-fa.html
علیپرست پیمان، فرهادی احد. طراحی یک تقویت‌کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1398; 16 (2) :37-45

URL: http://jiaeee.com/article-1-531-fa.html

طراحی یک تقویت‌کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT
پیمان علیپرست* ، احد فرهادی
پژوهشگاه هوافضا (وزارت علوم، تحقیقات و فنّاوری)، تهران، ایران
چکیده:   (3490 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.37.0.2.1591.32
 

در این مقاله یک تقویت‌کننده توان باند X مبتنی بر فنّاوری مدار مجتمع یکپارچه مایکروویو برای زیرسامانه‌های مخابراتی ماهواره‌های سنجشی طراحی، شبیه‌سازی و نهایتاً جانمایی شده است. جهت تحقق طرح، از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترید با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری حداقل طول گیت 500 نانومتر استفاده‌ شده است. ولتاژ تغذیه درین در این فناوری 40 ولت و ولتاژ تغذیه گیت 2- ولت می‌باشد. با توجه به اهمیت بهره‌وری در زیرسامانه‌های مخابرات فضایی، برای معماری مداری تقویت‌کننده پیشنهادی، از دوطبقه در کلاس E استفاده ‌شده است. بهره توان تقویت‌کننده حدود dB 25 و حداکثر توان خروجی آن dBm 49.3 در فرکانس 10 گیگاهرتز با در نظر گرفتن پهنای باند 2 مگاهرتز و بهره‌وری 49% حاصل شده است. برای کاهش اثر حافظه یک فیلتر میان‌گذر در خروجی تقویت کننده طراحی ‌شده است. مساحت نهایی اشغالی در سطح تراشه برای جانمایی به ابعاد 4.3×8.2 میلی‌متر حدود mm235 به‌دست‌آمده است، که فضای عمده جانمایی متعلق به فیلترمحدودکننده طیف توان خروجی می­باشد. مقدار AM/PM و AM/AM در بدترین شرایط به ترتیب حدود deg/dB3.8- و dB/dB1 حاصل شده است. تقویت‌کننده دارای پایداری نامشروط در محدوده فرکانسی مطلوب بوده و مقدار تداخل تخریبی هارمونیک سوم نسبت به هارمونیک اول حدود dBc 21- به‌دست‌آمده است.
واژه‌های کلیدی: باند X، MMIC، GaN HEMT، تقویت‌کننده توان، فرکانس رادیویی
متن کامل [PDF 1077 kb]   (2565 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1396/12/23 | پذیرش: 1397/9/10 | انتشار: 1398/4/11
ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA
ارسال پیام به نویسنده مسئول

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb