نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران الکترونیک ایران

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم حامل­ها لازم است انتگرال حاصل از ضرب چگالی حالت­ها و تابع فرمی به صورت عددی محاسبه شود. این محاسبه قدری پیچیده است. در این مقاله با مطالعه رفتار این انتگرال در تمام نواحی و مطالعه تابعیت آن به سطح فرمی نشان داده­ایم که مقدار آن را می­توان با معادله درجه­ی دومی تقریب زد. بدین ترتیب یک مدل بسته جریان – ولتاژ در هر دو ناحیه­ی زیر آستانه و بالای آن به دست می­آید. مقایسه نتایج بدست آمده با اندازه­گیری­های حاصل از شبیه­سازی عددی نشان می­دهد مدل بسته­ی ارائه شده از دقت خوبی برخوردار است.