دوره 19، شماره 3 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 19 شماره 3 1401 )                   جلد 19 شماره 3 صفحات 92-83 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Moazzen H, Karimzadeh Baee R, Ahmadi A. Design and Fabrication of a High-Efficiency and High-Gain X-Band Power Amplifier Using GaN-HEMT Die Transistors for Satellite Communications. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2022; 19 (3) :83-92
URL: http://jiaeee.com/article-1-1363-fa.html
موذن حمیدرضا، کریم زاده بائی رقیه، احمدی امیرحسین. طراحی و ساخت تقویت‌کننده توان 8 وات با بهره و بازدهی بالا در باند X با استفاده از ترانزیسوتور‌های GaN-HEMT به صورت Die برای کاربرد در ارتباطات ماهواره‌ای. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1401; 19 (3) :92-83

URL: http://jiaeee.com/article-1-1363-fa.html


پژوهشکده فناوری ارتباطات-پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات
چکیده:   (272 مشاهده)
در این مقاله، طراحی و ساخت تقویت‌کننده مدار مجتمع ترکیبی مایکروویو (HMIC[i]) با توان بیش از 8 وات و بهره سیگنال بزرگ بیش از dB 50 در بازه فرکانسی GHz 2/11-95/10 برای کاربرد در ارتباطات ماهواره‌ای ارائه می‌شود. به منظور دست‌یابی به بازدهی بالا در این تقویت‌کننده، دو طبقه انتهایی تقویت‌کننده با استفاده از ترانزیستور‌های GaN-HEMT، به صورت ماژول‌های جداگانه با طراحی سفارشی ساخته شده‌اند. به منظور بررسی تکرارپذیری، 16 ماژول 8 وات ساخته و تست شده‌اند؛ که تمامی آن‌ها، توان خروجی 8 وات و بازدهی بیش از 55 درصد را فراهم نمودند. به منظور دست‌یابی به بهره بیش از dB 50 ، از IC‌های آماده به عنوان طبقات بهره استفاده شده است. در نهایت، عملکرد تقویت‌کننده ساخته شده با استفاده از سیگنال مدوله شده QAM با نرخ MSym/s 10 مورد ارزیابی قرار گرفته و توان متوسط 6 وات با بازدهی بیش از 33% در فرکانس GHz 11 به دست آمده است.
 
[i] Hybrid Microwave Integrated Circuit
متن کامل [PDF 1881 kb]   (101 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: مخابرات
دریافت: 1400/5/21 | پذیرش: 1400/9/25 | انتشار: 1401/6/11

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2022 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb