دوره 19، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 19 شماره 2 1401 )                   جلد 19 شماره 2 صفحات 100-89 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Seyedzadeh Sany B, Ebrahimi B. Ultra-low-power FinFET-based 5T GC-eDRAM with High Retention Time in sub-22 nm. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2022; 19 (2) :89-100
URL: http://jiaeee.com/article-1-1256-fa.html
سیدزاده ثانی بهاره، ابراهیمی بهزاد. حافظۀ دسترسی تصادفی پویای جاسازی شده بر مبنای سلول بهره 5 ترانزیستوری، به‌صورت کم‌توان و با زمان نگهداری بالا در فناوری‌های فین‌فت کمتر از 22 نانومتر. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1401; 19 (2) :100-89

URL: http://jiaeee.com/article-1-1256-fa.html


دانشکده مکانیک، برق و کامپیوتر- دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
چکیده:   (195 مشاهده)
در این مقاله، یک سلول GC-eDRAM 5 ترانزیستوری در فناوری فین‌فت ارائه می‌گردد. این حافظه، با به‌کارگیری هر دو نوع ترانزیستورهای نوع p و نوع n برای حذف اثر کوپلاژ خازنی، استفاده ترکیبی از ولتاژهای آستانه و نیز بهره‌گیری از اثر پشته جهت بهبود مصرف توان ایستا، طراحی شده است. به منظور دستیابی به زمان نگهداری بالا، از ترانزیستورهای کم‌توان در مسیر خرابی داده به صورت سری استفاده شده تا جریان نشتی عبوری از این مسیر به دلیل اثر پشته، کاهش یافته و مصرف توان ایستا کم شود. در نتیجه خرابی کندترِ داده‌های یک و صفر، زمان نگهداری داده بهبود یافته و بنابراین فرکانس نوسازی، توان نوسازی و توان نگهداری کاهش خواهد یافت. سلول پیشنهادی دارای ساختار نوین بوده و دارای بالاترین زمان نگهداری داده و کمترین توان ایستا و توان نگهداری در بین ساختارهای GC-eDRAM مشابه است؛ از این رو همزمان در طبقه‌بندی‌های فوق توان پایین و پرسرعت قرار دارد. سلول پیشنهادی در تمام ابعاد کمتر از 22 نانومتر و با استفاده از نرم‌افزار HSPICE شبیه‌سازی شده است و در گرۀ فناوری 20 نانومتر، نسبت به سلول 4 ترانزیستوری، در فناوری 28 نانومتر FD-SOI، 195برابر زمان نگهداری، 80% کاهش مصرف توان ایستا و 48% کاهش مساحت را نشان می‌دهد.
متن کامل [PDF 1381 kb]   (21 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1399/10/30 | پذیرش: 1400/2/30 | انتشار: 1401/4/3

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2022 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb