دوره 19، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 19 شماره 2 1401 )
جلد 19 شماره 2 صفحات 37-31 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Horri A. Design of New Ternary Inverter Gate Based on the Nanowire Transistor. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2022; 19 (2) :31-37
URL: http://jiaeee.com/article-1-1138-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-1138-fa.html
حری اشکان. طراحی گیت وارونگر جدید در منطق سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستور نانو سیم. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1401; 19 (2) :31-37
گروه برق- واحد اراک، دانشگاه آزاد اسلامی- اراک
چکیده: (1693 مشاهده)
در این مقاله، یک گیت وارونگر جدید در منطق سه ارزشی با استفاده از ترانزیستور نانو سیم طراحی شده است. هسته اصلی این طراحی یک ترانزیستور نانو سیم با سطح مقطع (nm7×nm7(، احاطه شده با اکسید سیلیسیوم می باشد و روی آن اکسید، سه گیت مجزا قرار داده شده است. با استفاده از این طراحی، هر سه قسمت وارونگر شامل سه ارزشی استاندارد (STI)، سه ارزشی منفی (NTI) و سه ارزشی مثبت (PTI)، بوسیله یک مدار و بدون تغییر سخت افزار پیاده سازی شده است. انتخاب نوع وارونگر با استفاده از سطح ولتاژ گیت می باشد. روش شبیه سازی بصورت حل خودسازگار معادلات شرودینگر-پواسن می باشد. میزان توان مصرفی استاتیک و حاشیه های نویز محاسبه شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در مقایسه با طراحی های قبلی، میزان حاشیه های نویز بسیار بهبود یافته است ولی توان مصرفی در همان رنج باقی مانده است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
