دوره 18، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 1 1400 )
جلد 18 شماره 1 صفحات 16-9 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
ghaziasadi H, nayebi P. Rectification in Graphene Self-Switching Nanodiode Using Side Gates Doping. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2021; 18 (1) :9-16
URL: http://jiaeee.com/article-1-679-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-679-fa.html
قاضی اسدی حسن، نایبی پیمان. یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :9-16
دانشکده فنی ومهندسی، واحد ساوه، دانشگاه آزاد اسلامی، ساوه
چکیده: (3484 مشاهده)
خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیودهای خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیتهای جانبی با اتمهای نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیتهای ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیتها و کانال نیمههادی میگردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتمهای بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتمهای بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار μA56/8 است.
واژه‌های کلیدی: دیود خودسوئیچ گرافنی، نانونوار گرافنی آرمچیر، آلایش گیتهای جانبی، بور، نیتروژن، تنگ بست تابعی چگالی
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
