دوره 17، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 17 شماره 2 1399 )                   جلد 17 شماره 2 صفحات 19-13 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران
چکیده:   (3254 مشاهده)
چکیده: انتقال انرژی بی سیم امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته است و در بسیاری از سیستمهای شارژ تلفن همراه،مدارهای قابل کاشت در بدن،ماشینهای برقی وRFID  کاربرد فراوان دارد. از طرفی کاهش توان المانهای قدرت مورد استفاده در انتقال انرژی از مهمترین عوامل محدود کننده راندمان این نوع دستگاهها میباشد. دراین مقاله روشی خاص برای کاهش تلفات به کمک عناصر ذخیره ساز انرژی و جایگزینی برای مدارهای اینورتر CMOS، برای کاربردهای توان پایین ارایه شده است. در این ایده جدید دو ماسفت از مدار پل اینورتر حذف شده است. ضمنا به کمک روش بیان شده، یک مدار پوش-پول و در نهایت یک مدار تمام پل مبتنی بر ترانزیستور-سلف  (و نه ترانزیستور-ترانزیستور) پیاده سازی شده و با اعمال تغییراتی به یک اسیلاتور-خودبخودی (Self-Oscillator) به منظور استفاده در مدارهای RFID فرکانس پایین، و یا مدارهای انتقال توان بیسیم با بازدهی توان مناسب و البته قطعات حداقل تبدیل شده است. مدار نمونه انتقال توان بی سیم ساخته شده دارای راندمان 24درصد برای انتقال انرژی در فاصله 20 سانتیمتر می باشد.
متن کامل [PDF 826 kb]   (1318 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: قدرت
دریافت: 1397/5/17 | پذیرش: 1397/9/12 | انتشار: 1399/4/8

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است.