مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 17 شماره 2                   برگشت به فهرست مقالات | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


دانشگاه شهید بهشتی
چکیده:   (60 مشاهده)
چکیده: انتقال انرژی بی سیم امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته است و در بسیاری از سیستمهای شارژ تلفن همراه،مدارهای قابل کاشت در بدن،ماشینهای برقی وRFID  کاربرد فراوان دارد. از طرفی کاهش توان المانهای قدرت مورد استفاده در انتقال انرژی از مهمترین عوامل محدود کننده راندمان این نوع دستگاهها میباشد. دراین مقاله روشی خاص برای کاهش تلفات به کمک عناصر ذخیره ساز انرژی و جایگزینی برای مدارهای اینورتر CMOS، برای کاربردهای توان پایین ارایه شده است. در این ایده جدید دو ماسفت از مدار پل اینورتر حذف شده است. ضمنا به کمک روش بیان شده، یک مدار پوش-پول و در نهایت یک مدار تمام پل مبتنی بر ترانزیستور-سلف  (و نه ترانزیستور-ترانزیستور) پیاده سازی شده و با اعمال تغییراتی به یک اسیلاتور-خودبخودی (Self-Oscillator) به منظور استفاده در مدارهای RFID فرکانس پایین، و یا مدارهای انتقال توان بیسیم با بازدهی توان مناسب و البته قطعات حداقل تبدیل شده است. مدار نمونه انتقال توان بی سیم ساخته شده دارای راندمان 24درصد برای انتقال انرژی در فاصله 20 سانتیمتر می باشد.
     
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۷/۵/۱۷ | پذیرش: ۱۳۹۷/۹/۱۲

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2020 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb