دوره 16، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2 1398 )
جلد 16 شماره 2 صفحات 92-87 |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
چکیده: (2882 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.87.0.2.1591.1575
در این کار ما با استفاده از نرم‌افزار Atlas Tcad Silvaco اثر اضافه کردن یک‌لایه اضافه همنام BSF را بر عملکرد سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs با پیوند تونلی ناهمگون Al0.7Ga0.3As - In0.49Ga0.51P بررسی نمودیم. این تحلیل‌ها نشان می‌دهد اضافه کردن یک‌لایه BSF به سلول پایین و افزایش ضخامت لایه BSF سلول بالا موجب کاهش بازترکیب و افزایش جریان اتصال کوتاه و درنتیجه افزایش راندمان می‌شود. ضخامت و غلظت بهینه لایه BSF اضافه‌شده بیشترین بازده سلول را به % 83/56 می‌رساند. در مرحله بعد برای به دست آوردن ولتاژ مدارباز بالاتر نیمه‌هادی‌های با پهنای باند بالا از گروه ш-ѵ را موردبررسی قراردادیم و نیمه‌هادی In 0.5(Al 0.7Ga 0.3) 0.5P را برای ساختن پیوند ناهمگون با GaAs در سلول پایین یک سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs انتخاب نمودیم. نتایج به‌دست‌آمده از بررسی میزان فوتون های تولید شده و واکنش طیفی نشان می‌دهد پیوند ناهمگون InAlGap –GaAs باعث انتقال بیشتر الکترون‌ها و حفره‌های تولیدشده در سلول بالا و بازترکیب کمتر در سلول پایین می‌شود. برای این ساختار تحت تابش (1sun) AM1.5 مقادیر بهینه V 44/2VOC =، mA/cm2 5/28Jsc =، % 25/87FF= و % 89/60η = به‌دست‌آمده و درنهایت سلول ارائه‌شده با مدل‌های دیگر مقایسه شد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |