دوره 16، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2 1398 )                   جلد 16 شماره 2 صفحات 87-92 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Abasian S, Sabbaghi-Nadooshan R. Design of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with high efficiency. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2019; 16 (2) :87-92
URL: http://jiaeee.com/article-1-359-fa.html
عباسیان سبحان، صباغی ندوشن رضا. طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی InGaP/GaAs بدون لایه ARC با بازده بالا . مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1398; 16 (2) :87-92

URL: http://jiaeee.com/article-1-359-fa.html


دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
چکیده:   (208 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.87.0.2.1591.1575
 

در این کار ما با استفاده از نرم‌افزار Atlas Tcad Silvaco اثر اضافه کردن یک‌لایه اضافه همنام BSF را بر عملکرد سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs با پیوند تونلی ناهمگون Al0.7Ga0.3As - In0.49Ga0.51P بررسی نمودیم. این تحلیل‌ها نشان می‌دهد اضافه کردن یک‌لایه BSF به سلول پایین و افزایش ضخامت لایه BSF سلول بالا موجب کاهش بازترکیب و افزایش جریان اتصال کوتاه و درنتیجه افزایش راندمان می‌شود. ضخامت و غلظت بهینه لایه BSF اضافه‌شده بیشترین بازده سلول را به % 83/56 می‌رساند. در مرحله بعد برای به دست آوردن ولتاژ مدارباز بالاتر نیمه‌هادی‌های با پهنای باند بالا از گروه ш-ѵ را موردبررسی قراردادیم و نیمه‌هادی In 0.5(Al 0.7Ga 0.3) 0.5P را برای ساختن پیوند ناهمگون با GaAs در سلول پایین یک سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs انتخاب نمودیم. نتایج به‌دست‌آمده از بررسی میزان فوتون های تولید شده و واکنش طیفی نشان می‌دهد پیوند ناهمگون InAlGap GaAs باعث انتقال بیشتر الکترون‌ها و حفره‌های تولیدشده در سلول بالا و بازترکیب کمتر در سلول پایین می‌شود. برای این ساختار تحت تابش (1sun) AM1.5 مقادیر بهینه  V 44/2VOC =، mA/cm2 5/28Jsc =،  % 25/87FF=  و % 89/60η =  به‌دست‌آمده و درنهایت سلول ارائه‌شده با مدل‌های دیگر مقایسه شد.
 
متن کامل [PDF 902 kb]   (16 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۶/۵/۳ | پذیرش: ۱۳۹۷/۵/۱۶ | انتشار: ۱۳۹۸/۴/۱۱

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb