مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2                   برگشت به فهرست مقالات | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
چکیده:   (30 مشاهده)
در این کار ما با استفاده از نرم‌افزار Atlas Tcad Silvaco اثر اضافه کردن یک‌لایه اضافه همنام BSF را بر عملکرد سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs با پیوند تونلی ناهمگون Al0.7Ga0.3As - In0.49Ga0.51P بررسی نمودیم. این تحلیل‌ها نشان می‌دهد اضافه کردن یک‌لایه BSF به سلول پایین و افزایش ضخامت لایه BSF سلول بالا موجب کاهش بازترکیب و افزایش جریان اتصال کوتاه و درنتیجه افزایش راندمان می‌شود. ضخامت و غلظت بهینه لایه BSF اضافه‌شده بیشترین بازده سلول را به % 83/56 می‌رساند. در مرحله بعد برای به دست آوردن ولتاژ مدارباز بالاتر نیمه‌هادی‌های با پهنای باند بالا از گروه ш-ѵ را موردبررسی قراردادیم و نیمه‌هادی In 0.5(Al 0.7Ga 0.3) 0.5P را برای ساختن پیوند ناهمگون با GaAs در سلول پایین یک سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs انتخاب نمودیم. نتایج به‌دست‌آمده از بررسی میزان فوتون های تولید شده و واکنش طیفی نشان می‌دهد پیوند ناهمگون InAlGap GaAs باعث انتقال بیشتر الکترون‌ها و حفره‌های تولیدشده در سلول بالا و بازترکیب کمتر در سلول پایین می‌شود. برای این ساختار تحت تابش (1sun) AM1.5 مقادیر بهینه  V 44/2VOC =، mA/cm2 5/28Jsc =،  % 25/87FF=  و % 89/60η =  به‌دست‌آمده و درنهایت سلول ارائه‌شده با مدل‌های دیگر مقایسه شد.
 
     
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۶/۵/۳ | پذیرش: ۱۳۹۷/۵/۱۶

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb