دوره 16، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2 1398 )
جلد 16 شماره 2 صفحات 64-57 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Sepehri Z, Daghighi A. Analytical Threshold Voltage Computations for 22 nm Silicon-on-Diamond MOSFET Incorporating a Second Oxide Layer. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2019; 16 (2) :57-64
URL: http://jiaeee.com/article-1-936-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-936-fa.html
سپهری زهرا، دقیقی آرش. بدست آوردن رابطه‌ی ولتاژ آستانه در ماسفت‌های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1398; 16 (2) :57-64
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر-دانشگاه صنعتی اصفهان-اصفهان-ایران
چکیده: (3772 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.57.0.2.1576.1610
در این مقاله برای اولین بار رابطه‌ی تحلیلی ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی و طول کانال کوتاه ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه‌ی عایق اول الماس است که بر روی زیرلایه‌ی سیلیکونی قرار دارد و لایه‌ی عایق دوم دی‌اکسیدسیلیکون می‌باشد که بر روی الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درین محدود شده‌است. رابطه‌ی تحلیلی برای محاسبه‌ی ولتاژ آستانه با محاسبه‌ی خازن‌های موجود در عایق مدفون استفاده شده‌است. نتایج بدست‌آمده از روابط تحلیلی و شبیه‌سازی افزاره برای ولتاژ آستانه در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس دولایه، سیلیکون روی عایق و سیلیکون روی الماس با ابعاد و طول کانال مشابه، مقایسه شده‌است. همچنین تاثیر ابعاد افزاره نظیر ضخامت اکسید گیت، ضخامت بدنه‌ی سیلیکونی، ضخامت عایق دوم و طول این عایق را بر روی ولتاژ آستانه‌ی افزاره‌ی سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بررسی کرده‌ایم و نتایج حاصل از روابط تحلیلی را با نتایج بدست‌آمده از شبیه‌سازی افزاره مقایسه نمودیم و به تطبیق مناسبی بین نتایج حاصل دست‌یافته‌ایم.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
