دوره 18، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 1 1400 )                   جلد 18 شماره 1 صفحات 1-8 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Rezaei A, Orouji A A, Sharbati S. Performance Improvement of Field Effect Diodes (FED) for Nanotechnology. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2021; 18 (1) :1-8
URL: http://jiaeee.com/article-1-835-fa.html
رضایی آرش، اروجی علی اصغر، شربتی سمانه. بهبود عملکرد دیوداثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو. مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :1-8

URL: http://jiaeee.com/article-1-835-fa.html


دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
چکیده:   (836 مشاهده)
چکیده: یکی از مشکلات اصلی دیودهای اثر میدانی(FED)،  افزایش جریان خاموشی ان با کاهش طول کانال می باشد. از این رو در این مقاله ساختار جدیدی ارائه شده است که با کاهش سطح اشتراک کانال با نواحی سورس و درین و بدون نیاز به مخازن ها میزان تزریق حامل های اضافی به کانال کاهش یافته و کنترل گیت  بر کانال افزایش می یابد. با تکنیک به کار رفته و بدون نیاز به مخازن ها حجم نواحی سورس و درین نسبت به ساختار دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED)  افزایش یافته و موجب بهبود جریان روشن می شود از این رو با مقایسه ساختار ارائه شده و S-FED نشان داده می شود که پارامترهای مهمی همچون  جریان روشن، نسبت جریان روشن به خاموش ، تاخیر گیت و حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت  بهبود بخشیده شده است و لذا ساختار ارائه شده می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار های متداول باشد.
متن کامل [PDF 1011 kb]   (125 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1397/12/27 | پذیرش: 1398/9/16 | انتشار: 1400/1/1

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb