Mir A, Miralaie M. Modeling and Simulation of a Molecular Single-Electron Transistor. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2019; 16 (2) :65-75
URL:
http://jiaeee.com/article-1-636-fa.html
دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه لرستان- خرمآباد- ایران
چکیده: (3209 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.65.0.2.1605.1610
در این مقاله، ابتدا برای درک مفهوم تزویج به تبیین چگالی حالات مولکولهای تزویجشده به الکترودهای فلزی خواهیم پرداخت و برمبنای این مفهوم، تزویج ضعیف و قوی را برای مولکولهای متصلشده به الکترودهای فلزی شرح میدهیم. در ادامه از توصیف مدل خازنی برای کشف ارتباط انرژی افزودن[i] یا آستانه (انرژی لازم برای اضافه کردن الکترونی به مولکول) به الکترون خواهی
[ii] و انرژی یونش[iii] مولکول در محیط ترانزیستور تک الکترونی، SET[iv]، استفاده خواهیم کرد و نشان میدهیم برای محاسبه جریان ترانزیستور تک الکترونی با جزیره مولکولی باید از رژیم انسداد کولنی کوانتومی بهره بگیریم. رابطه نرخ تونلزنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی را با جایگزین کردن یک تابع لورنسی (بهعنوان عبارت احتمال عبور تونلی) در رابطه نرخ تونلزنی در نظریه ارتدکس، استنتاج خواهیم کرد. درنهایت، برمبنای رابطه نرخ تونلزنی بدست آمده برای رژیم انسداد کولنی کوانتومی و به کمک نرم افزارSIMON به محاسبه منحنی جریان (نوسانات کولنی) SETها با جزیره مولکولی خواهیم پرداخت. مولکولهای مورد مطالعه، بنزن و کربن 60 هستند.
[iv] Single Electron Transistor (SET)
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1397/5/7 | پذیرش: 1397/11/1 | انتشار: 1398/4/11