مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2                   برگشت به فهرست مقالات | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


دانشگاه لرستان
چکیده:   (33 مشاهده)
در این مقاله، ابتدا برای درک مفهوم تزویج به تبیین چگالی حالات مولکول­های تزویج­شده به الکترودهای فلزی خواهیم پرداخت و برمبنای این مفهوم، تزویج ضعیف و قوی را برای مولکول­های متصل­شده به الکترودهای فلزی شرح می­دهیم. در ادامه از توصیف مدل خازنی برای کشف ارتباط انرژی افزودن[i] یا آستانه (انرژی لازم برای اضافه کردن الکترونی به مولکول) به الکترون­ خواهی[ii] و انرژی یونش[iii] مولکول در محیط ترانزیستور تک­ الکترونی، SET[iv]، استفاده خواهیم کرد و نشان می­دهیم برای محاسبه جریان ترانزیستور تک­ الکترونی با جزیره مولکولی باید از رژیم انسداد کولنی کوانتومی بهره بگیریم. رابطه نرخ تونل­زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی را با جایگزین­ کردن یک تابع لورنسی (به‌عنوان عبارت احتمال عبور تونلی) در رابطه نرخ تونل­زنی در نظریه ارتدکس، استنتاج خواهیم کرد. درنهایت، برمبنای رابطه نرخ تونل­زنی بدست­ آمده برای رژیم انسداد کولنی کوانتومی و به کمک نرم­ افزارSIMON به محاسبه منحنی جریان (نوسانات کولنی) SETها با جزیره مولکولی خواهیم پرداخت. مولکول­های مورد مطالعه، بنزن و کربن 60 هستند.
 
[i] Addition
[ii] Electron Affinity
[iii] Ionization Energy
[iv] Single Electron Transistor (SET)
 
 
     
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۷/۵/۷ | پذیرش: ۱۳۹۷/۱۱/۱

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb