دوره 13، شماره 4 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 13 شماره 4 1395 )                   جلد 13 شماره 4 صفحات 33-40 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Hasanzade N, Danaie M. A New Technique for Reduction of Leakage Current of CMOS Switches. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2017; 13 (4) :33-40
URL: http://jiaeee.com/article-1-43-fa.html
حسن زاده ناصر، دانائی محمد. یک راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در کلید های CMOS . مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1395; 13 (4) :33-40

URL: http://jiaeee.com/article-1-43-fa.html


دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر- دانشگاه سمنان- سمنان- ایران
چکیده:   (931 مشاهده)

کلید­های CMOS یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می­روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه­های غیر ایده­آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آستانه می­تواند برای مدارهای پرتونگاری (توموگرافی) خازنی استفاده شود. ساختار ارائه شده علاوه بر کاهش جریان نشتی معکوس، باعث کاهش خازن­های پارازیتی کلید، کاهش جریان نشتی ناشی از پدیده Punch-Trough و رسیدن به مقاومت حالت روشن پایین تر نیز می­شود. نتایج شبیه­سازی با استفاده از نرم افزارHSPICE بدست آمده و برای آن از یک نمونه مدل تجاری با طول کانال 0.18μm استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که جریان نشتی معکوس نسبت به کلید NMOS، بیش از چهار برابر و نسبت به کلید بوت استرپ بیش از سه  برابر کمتر شده است. علاوه بر آن کلید پیشنهادی رفتار دمائی پایدارتر و تغییرات کمتری در گوشه های پروسه دارد.

متن کامل [PDF 334 kb]   (755 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۵/۱۰/۲۸ | پذیرش: ۱۳۹۵/۱۰/۲۸ | انتشار: ۱۳۹۵/۱۰/۲۸

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2018 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb