دوره 18، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 1 1400 )                   جلد 18 شماره 1 صفحات 45-50 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

razagi M, Karam H. Comparison of the current of UV ray radiation on PIN Silicon photodiode and Gallium Arsenide. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2021; 18 (1) :45-50
URL: http://jiaeee.com/article-1-372-fa.html
رزاقی محمد، کرم هانیه. مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی. مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :45-50

URL: http://jiaeee.com/article-1-372-fa.html


دانشکده مهندسی برق- دانشگاه کردستان
چکیده:   (645 مشاهده)
تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه­ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن‌ها در چندین بایاس‌ معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته ‌است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم­آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم­آرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است.تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه­ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن‌ها در چندین بایاس‌ معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته ‌است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم­آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم­آرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است.
متن کامل [PDF 725 kb]   (65 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1396/5/22 | پذیرش: 1398/8/25 | انتشار: 1400/1/1

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb