DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.113.0.2.1575.1606
در این مقاله، توابع α و β و متغیرهای گیت مربوط به معادلات متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی بررسی می
شود. متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی، نرخ باز و بسته شدن یون های کلسیم و پتاسیم را نشان میدهد. توابع متغیر
α و β، توابعی نمایی بر حسب پتانسیل پوسته u می
باشند که توسط هاجکینگ و هاکسلی برای تنظیم و تطبیق معادلات مربوط به سلول عصبی به طور تجربی بدست آمده
اند. در این مقاله، این معادلات توسط ترانزیستور FGMOS
طراحی شده
اند که هزینه، پیچیدگی، ولتاژ و توان کمتر را به دنبال دارد. این ترانزیستورها در ناحیه
ی زیرآستانه دارای ولتاژ و توان بسیار پایین هستند، از این رو توان مصرفی مدارهای پیشنهادی بسیار پایین می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزار Hspice
با تکنولوژی 0.18
میکرومتر انجام شده است و مساحت اشغال شده
ی سیلیکون برای مدار متغیر های گیت طراحی شده برابر 115μm×60μm
میباشد.
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1396/2/23 | پذیرش: 1396/11/28 | انتشار: 1398/4/11