دوره 16، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2 1398 )                   جلد 16 شماره 2 صفحات 113-119 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Farshidi E, Salmanpour A, Ansari Asl K. A new circuit model for the Parameters in equations of low power Hodgkin-Huxley neuron cell. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers. 2019; 16 (2) :113-119
URL: http://jiaeee.com/article-1-310-fa.html
فرشیدی ابراهیم، سلمان پور آوا، انصاری اصل کریم. ارائه ی مدل مداری جدید برای پارامترهای معادلات سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی با توان پایین. مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1398; 16 (2) :113-119

URL: http://jiaeee.com/article-1-310-fa.html


دانشگاه شهید چمران اهواز
چکیده:   (440 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.113.0.2.1575.1606

در این مقاله، توابع α و β و متغیرهای گیت مربوط به معادلات متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی بررسی میشود.  متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی، نرخ باز و بسته شدن یون های کلسیم و پتاسیم را نشان می‎دهد. توابع متغیر α و β، توابعی نمایی بر حسب پتانسیل پوسته u میباشند که توسط هاجکینگ و هاکسلی برای تنظیم و تطبیق معادلات مربوط به سلول عصبی به طور تجربی بدست آمدهاند. در این مقاله، این معادلات توسط ترانزیستور FGMOS طراحی شدهاند که هزینه، پیچیدگی، ولتاژ و توان کمتر را به دنبال دارد. این ترانزیستورها در ناحیهی زیرآستانه دارای ولتاژ و توان بسیار پایین هستند، از این رو توان مصرفی مدارهای پیشنهادی بسیار پایین می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزار Hspice با تکنولوژی 0.18 میکرومتر انجام شده است و مساحت اشغال شدهی سیلیکون برای مدار متغیر های گیت طراحی شده برابر  115μm×60μm می‌باشد.
متن کامل [PDF 1382 kb]   (66 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۶/۲/۲۳ | پذیرش: ۱۳۹۶/۱۱/۲۸ | انتشار: ۱۳۹۸/۴/۱۱

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb