مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2                   برگشت به فهرست مقالات | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


دانشگاه شهید چمران اهواز
چکیده:   (29 مشاهده)
در این مقاله، توابع α و β و متغیرهای گیت مربوط به معادلات متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی بررسی میشود.  متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی، نرخ باز و بسته شدن یون های کلسیم و پتاسیم را نشان می‎دهد. توابع متغیر α و β، توابعی نمایی بر حسب پتانسیل پوسته u میباشند که توسط هاجکینگ و هاکسلی برای تنظیم و تطبیق معادلات مربوط به سلول عصبی به طور تجربی بدست آمدهاند. در این مقاله، این معادلات توسط ترانزیستور FGMOS طراحی شدهاند که هزینه، پیچیدگی، ولتاژ و توان کمتر را به دنبال دارد. این ترانزیستورها در ناحیهی زیرآستانه دارای ولتاژ و توان بسیار پایین هستند، از این رو توان مصرفی مدارهای پیشنهادی بسیار پایین می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزار Hspice با تکنولوژی 0.18 میکرومتر انجام شده است و مساحت اشغال شدهی سیلیکون برای مدار متغیر های گیت طراحی شده برابر  115μm×60μm می‌باشد.
     
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۶/۲/۲۳ | پذیرش: ۱۳۹۶/۱۱/۲۸

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb