این مقاله به شبیه سازی آنتنهای شکافدار میکرواستریپی[1] اختصاص دارد. از آنجائیکه این ساختارها دارای پهنای باند زیادی هستند، استفاده از روشهای حوزه زمان برای شبیه سازی آنها مناسب تر است. بهمین خاطر از روش ماتریس خط انتقال سه بعدی[2] ((3D TLM)) برای شبیه سازی استفاده میگردد و برای محدود کردن فضای شبیه سازی از الگوریتم [3]EPML-TLM استفاده میشود که در آن مرز جذبی [4]PML مستقیما در الگوریتم TLM پیاده سازی شده است. در پایان نتایج شبیه سازی یک آنتن شکافدار میکرواستریپی خطی[5] و یک آنتن شکافدار میکرواستریپی با پروفایل نمایی[6] ارائه شده ونتایج با نتایج نرم افزارهای دیگر مقایسه شده است.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |