مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 22 شماره 4
برگشت به فهرست مقالات |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشگاه آیت الله بروجردی
چکیده: (48 مشاهده)
در این مقاله، یک حسگر مغناطیسی بر پایه نانونوار گرافین ارائه می شود. ایده پیاده سازی حسگر بر اساس تغییر ثابت انتشار و در نتیجه ضریب شکست موثر نانونوار گرافین بر زیرلایه ای دی الکتریک است. در این حسگر، میدان مغناطیسی مورد نظر برای اندازه گیری، دارای مولفه عمود بر لایه گرافین است. بنابراین پاسخ به میدان مغناطیسیِ اندازه گیری شده برخاسته از پاسخ مغناطیسی گرافین، و آن هم ناشی از تشدیدهای برخاسته از اثر سیکلوترون و گذار بین ترازهای لاندا است. پاسخ وابسته به میدان مغناطیسی گرافین می تواند به کمک رسانایی سطحی گرافین مدل شود. بر اساس این مدل، شبیه سازی عملکرد ساختار انجام می شود. با توجه به وابستگی رسانایی سطحی گرافین به پتانسیل شیمیایی آن که توسط یک ولتاژ بایاس الکتریکی خارجی قابل کنترل است، امکان تنظیم الکتریکی ساختار نیز فراهم است. نتایج به دست آمده از شبیه سازی ساختار پیشنهادی، می تواند در طراحی حسگرهای متنوع مغناطیسی برای آشکارسازی و اندازه گیری شدت میدان های مغناطیسی در سامانه های مختلف استفاده شود.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
