مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 21 شماره 3                   برگشت به فهرست مقالات | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


سازمان هوافضا
چکیده:   (150 مشاهده)
در این مقاله یک تقویت­کننده توان فرکانس بالا مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه (MMIC) طراحی شده است. برای این طرح از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت­کننده 2.5 گیگا هرتز است. بیشترین گین  توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر  با13.9db است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود 36.4dBm در توان ورودی 25dBmاست که در این توان ورودی، توان خروجی برابر با 35.62dBm است. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراش 30.31 یلیمتر در 18.2 میلیتر است. مقدار AM/PM و AM/AM به ترتیب برابر با2.61deg/db و1.31dB/dB است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD3) حدود16.5dBc- در فرکانس مرکزی است.
     
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: 1400/1/21 | پذیرش: 1402/9/23

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 CC BY-NC 4.0 | Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

Designed & Developed by : Yektaweb