در این مقاله یک تقویتکننده توان فرکانس بالا مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه (MMIC) طراحی شده است. برای این طرح از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویتکننده 2.5 گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر با13.9db است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود 36.4dBm در توان ورودی 25dBmاست که در این توان ورودی، توان خروجی برابر با 35.62dBm است. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراش 30.31 یلیمتر در 18.2 میلیتر است. مقدار AM/PM و AM/AM به ترتیب برابر با2.61deg/db و1.31dB/dB است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD3) حدود16.5dBc- در فرکانس مرکزی است.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |