Mazloum J, Hadian B, Akbarzadeh H, Izadi رذذ A O. Investigation of Effect of Accumulation Layer Thickness of ENZ material on Electro-Absorption Modulator. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2021; 18 (1) :59-64
URL:
http://jiaeee.com/article-1-1052-fa.html
مظلوم جلیل، هادیان بهرنگ، اکبرزاده هومن، ایزدی امین اله. بررسی اثر ضخامت لایه تجمع بار در یک مدولاتور جذبی مبتنی بر ماده با خواص ضریب گذردهی نزدیک صفر. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :59-64
URL: http://jiaeee.com/article-1-1052-fa.html
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری، تهران
چکیده: (2266 مشاهده)
در این مقاله، عملکرد یک مدولاتور نوری مبتنی بر مادهای با خواص ضریب گذردهی نزدیک صفر(ایندیوم تین اکساید)در باند فرکانسی مخابرات نوری به ازای ضخامتهای متفاوت لایه تجمع بار بررسی میشود. در این مدولاتور از طرح خازن فلز-اکسید-نیمههادی برای تغییر بار الکتریکی در لبه دی الکتریک و ایندیوم تین اکساید استفاده میشود. از حل کننده مد انتشاری برای یافتن پارامترهای اساسی مدولاتور استفاده میشود. در این مقاله از یک مدل رایج برای معرفی لایه تجمع بار در ایندیوم تین اکساید استفاده میشود. پاسخ بدست آمده وجود یک بیشینه در نمودار تلفات الحاقی در ولتاژ 3/2 ولت با ضخامت لایهی 1 نانومتر را نشان میدهد. این مقدار حدود dB/μm 4/8 است. نتایج بدست آمده از تغییرات ضخامت لایههای ایندیوم تین اکساید و دیالکتریک استفاده شده، افت میزان تلفات و نرخ خاموشی به ازای افزایش آنها را نشان میدهد. همچنین افزایش ضخامت بار الکتریکی در ایندیوم تین اکساید باعث افزایش ولتاژ خاموشی در مدولاتور میشود. در ضمن این کار میزان تلفات الحاقی را نیز افزایش میدهد.
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1398/10/18 | پذیرش: 1399/3/17 | انتشار: 1400/1/1