fa بدست آوردن رابطه‌ی ولتاژ آستانه در ماسفت‌های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <div dir="ltr">DOR:&nbsp;<span style="color: rgb(255, 255, 255); font-family: yekan; font-size: 16px; text-align: center; background-color: rgb(75, 72, 70);">98.1000/1735-7152.1398.16.57.0.2.1576.1610</span></div> <br> &nbsp;<span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در </span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">این مقاله برای اولین بار رابطه‌ی تحلیلی ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی و طول کانال کوتاه ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه‌ی عایق اول الماس است که بر روی زیرلایه‌ی سیلیکونی قرار دارد و لایه‌ی عایق دوم </span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">دی‌اکسیدسیلیکون </span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">می‌باشد که بر روی الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درین محدود شده‌است. رابطه‌ی تحلیلی برای محاسبه‌ی ولتاژ آستانه با محاسبه‌ی خازن‌های موجود در عایق مدفون استفاده شده‌است. نتایج بدست‌آمده از روابط تحلیلی و شبیه‌سازی افزاره برای ولتاژ آستانه در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس دولایه، سیلیکون روی عایق و سیلیکون روی الماس با ابعاد و طول کانال مشابه، مقایسه شده‌است. همچنین تاثیر ابعاد افزاره نظیر ضخامت اکسید گیت، ضخامت بدنه‌ی سیلیکونی، ضخامت عایق دوم و طول این عایق را بر روی ولتاژ آستانه‌ی افزاره‌ی سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بررسی کرده‌ایم و نتایج حاصل از روابط تحلیلی را با نتایج بدست‌آمده از شبیه‌سازی افزاره مقایسه نمودیم و به تطبیق مناسبی بین نتایج حاصل دست‌یافته‌ایم.</span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"></span></span></span> In this paper, for the first time, an analytical equation for threshold voltage computations in silicon-on-diamond MOSFET with an additional insulation layer is presented; In this structure, the first insulating layer is diamond which covered the silicon substrate and second insulating layer is SiO2 which is on the diamond and it is limited to the source and drain on both sides. Analytical solution was used to determine the threshold voltage by computations of capacitors in buried insulators. Simulation and Analytical results of threshold voltage in silicon-on-diamond and silicon-on-insulator with the same dimensions and channel length were compared. Theeffect of device parameters like gate oxide thickness, silicon body thickness, length and thickness of oxide on threshold voltage of the silicon-on-diamond MOSFET were investigated and the analytical results were compared against device simulation findings.<span dir="RTL"></span> سیلیکون روی الماس, سیلیکون روی عایق, ولتاژ آستانه, توزیع پتانسیل. Silicon-On-Diamond, Silicon-On-Insulator, Threshold Voltage, Potential Distribution. 57 64 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-281&slc_lang=fa&sid=1 Zahra Sepehri زهرا سپهری za.sepehri@gmail.com 10031947532846004608 10031947532846004608 Yes Department of Electrical and Computer Engineering, Isfahan University of Technology,Isfahan, Iran. دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر-دانشگاه صنعتی اصفهان-اصفهان-ایران Arash Daghighi آرش دقیقی daghighi-a@eng.sku.ac.ir 10031947532846004609 10031947532846004609 No Faculty of Engineering, Shahrekord University,Shahrekord, Iran. دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد- شهرکرد– ایران