fa اینورتر چند‌سطحی آبشاری شبه منبع امپدانسی با استفاده از ترانسفورماتور فرکانس بالا قدرت Power پژوهشي Research <div dir="ltr">DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.119.0.1.32.1575</div> <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">امروزه</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">اینورتر&shy;های چند&shy;سطحی آبشاری شبه منبع امپدانسی(</span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">qZS-CMI</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) به طور گسترده&shy;ای در صنعت الکترونیک قدرت مورد توجه قرار گرفته&shy;اند. اگر چه این اینورتر&shy;ها دارای مزیت&shy;های فراوانی می&shy;باشند، اما مشکلاتی هم همانند جریان نشتی درسیستم&shy;های فتوولتائیک و محدودیت عملی در افزایش بهره ولتاژ دارند. جهت رفع این مشکلات در اینمقاله، ساختار جدید اینورتر چند</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&shy;</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">سطحی آبشاری شبه منبع امپدانسی با استفاده از ترانسفورماتور فرکانس بالا پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی قابلیت تولید ولتاژبالا برای کاربرد</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&shy;</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های توان بالا یا متوسط را دارد. استفاده از ترانسفورماتور فرکانس بالا در ساختار پیشنهادی، منجر به ایجاد ایزولاسیون الکتریکی بین ورودی و خروجی، افزایشولتاژ خروجی، افزایش قابلیت اطمینان سیستم و کاهش تداخل الکترومغناطیسی می</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&shy;</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">شود.ساختار پیشنهادیدر مقایسه با </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">qZS-CMI</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> که بهره ولتاژ آن</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&shy;</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">هایکسان است، دارای تنش ولتاژی کمتر بر رویعناصر نیمه&shy;هادی می&shy;باشد و همچنین دارای بهره ولتاژ و شاخص مدولاسیون بزرگتری می</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&shy;</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">باشد. برای کنترل خاموش و روشن شدن کلید</span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-family:cambria,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">&shy;</span></span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ها از مدولاسیون پهنای پالس سینوسی شیفت فاز بهبود یافته با تزریق هارمونیک سوم که باعث افزایش شاخص مدولاسیون بیشتر از یک و بهبود کیفیت توان خروجی اینورتر می</span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-family:cambria,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">&shy;</span></span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">شود، استفاده می&shy;شود. شبیه سازی ساختار پیشنهادی در محیط نرم افزار متلب انجام شده است. نتایج حاصل از تحلیل و شبیه سازی، عملکرد بهتر اینورتر پیشنهادی را نسبت به ساختار</span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">&shy;</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های مذکور نشان می</span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-family:cambria,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">&shy;</span></span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">دهد.</span></span> In this paper, a new structure of HFTI-qZS-CMI has been proposed. The proposed structure is capable of generating high-voltage for medium to high power applications. By adding a switch, a capacitor and a high-frequency transformer and also eliminating an inductor from each qZS-CMI cell, the HFTI-qZS-CMI structure will be created. Using the high-frequency transformer in the proposed structure, leads to electrical isolation between the input and the output, increase or decrease the output voltage, increase the system reliability and reduce the electromagnetic interference. The number of elements in the proposed structure is less than three stage cascade multilevel inverter. Moreover, in comparison to the qZS-CMI with the same input and output voltages, it has lower voltage stress on the diode and the switches as well as higher boost factor and larger modulation index.To control the on and off state of the switches, the Improved phase-shifted sinusoidal pulse width modulation with third harmonic injection is used which increases the modulation index more than one and improve the quality of inverter output power. The proposed structure simulation has been carried out in MATLAB / SIMULINK software. The results of analysis and simulation show better performance for the proposed inverter comparing to other structures. اینورتر چند‌سطحی آبشاری,اینورتر شبه منبع امپدانسی, ترانسفورماتور فرکانس بالا, مدولاسیون پهنای پالس سینوسی شیفت فاز بهبود یافته, تزریق هارمونیک سوم Cascade Multilevel Inverter, Quasi Z-Source, High Frequency Transformer, Improved Phase Shifted Sinusoidal Third Harmonic Injection Pulse Width Modulation. 119 131 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-278&slc_lang=fa&sid=1 Ali Sarailoo علی سرای‌لو Sarailoo.ali@pgs.usb.ac.ir 10031947532846004101 10031947532846004101 Yes Department of Electrical Engineering,University Sistan & Baluchestan, Zahedan, Iran دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه سیستان و بلوچستان-زاهدان- ایران S.Masoud Barakati سید مسعود برکاتی smbaraka@ece.usb.ac.ir 10031947532846004102 10031947532846004102 No Department of Electrical Engineering,University Sistan & Baluchestan, Zahedan, Iran دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه سیستان و بلوچستان-زاهدان- ایران