fa تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین الکترونیک Electronic پژوهشي Research در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای <span dir="LTR">DTMOS</span> به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه <span dir="LTR">CAM</span> سه<span dir="LTR">‌</span>ارزشی مبتنی بر ممریستور(<span dir="LTR">MTCAM</span>) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای <span dir="LTR">DTMOS</span> بر عملکرد سلول <span dir="LTR">MTCAM</span> در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال‌ مستقیم گیت &nbsp;و بدنه (<span dir="LTR">DT1</span>)، اتصال مستقیم درین و بدنه (<span dir="LTR">DT2</span>) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت (<span dir="LTR">DT3</span>). نتایج شبیه‌سازی سلول‌های&nbsp; <span dir="LTR">MTCAM</span> مبتنی بر <span dir="LTR">DTMOS</span> در مقایسه با سلول <span dir="LTR">MTCAM‌</span> مبتنی بر ماسفت نشان می‌دهد روش <span dir="LTR">DT1</span> باعث بهبود توان مصرفی کل و حاصل‌ضرب توان و تاخیر (<span dir="LTR">PDP</span>) به ترتیب به میزان %86 و %42 اما افزایش تاخیر به میزان %30 می‌شود، روش <span dir="LTR">DT2</span> باعث بهبود توان مصرفی کل و <span dir="LTR">PDP</span> به ترتیب به میزان %87 و %60 اما افزایش تاخیر به میزان %20 می‌شود و روش <span dir="LTR">DT3</span>&nbsp; باعث بهبود توان مصرفی کل و <span dir="LTR">PDP</span> به ترتیب به میزان %89 و 74% اما افزایش تاخیر به میزان %14 می‌شود. بنابراین، سلول <span dir="LTR">DT3-MTCAM</span> کمترین توان مصرفی و تاخیر را دارد و برای کاربردهای توان پایین مناسب<span dir="LTR">‌</span>تر است. شبیه‌سازی‌ها&nbsp; در فرکانس 40 مگاهرتز و تکنولوژی 180 نانومتر <span dir="LTR">CMOS</span> انجام شده است. This paper proposes the use of DTMOS transistors in a memristor-based ternary CAM (MTCAM) instead of MOSFET transistors. It also evaluates the effect of forward body biasing methods in DTMOS transistors on the performance of a MTCAM cell in write mode. These biasing methods are gate-to-body tying (called DT1), drain-to-body tying (called DT2), and gate-to-body tying with a voltage supply of 0.1 V (called DT3). The simulation results of DTMOS-based MTCAMs in comparison with a MOSFET-based MTCAM showed that the use of DT1 method enhances power dissipation and Power Delay Product (PDP) by 86% and 42%, respectively but increases the delay by 30%, the use of DT2 method enhances power dissipation and PDP by 87% and 60%, respectively but increases the delay by 20%, and the use of DT3 method enhances power dissipation and PDP by 89% and 74%, respectively but increases the delay by 14%. As a result, DT3-MTCAM has the least power and delay. Therefore, it is more suitable for low power applications.&nbsp;Simulations are performed in 40 MHz and 180 nm CMOS technology.<strong><span dir="RTL"></span></strong><br> <strong><span dir="RTL"></span></strong> حافظه‌ی CAM, منطق سه‌ارزشی, ممریستور, ترانزیستور DTMOS, بایاس مستقیم بدنه, توان پایین. CAM Memory, Ternary Logic, Memristor, DTMOS Transistor, Forward body bias, low power. 17 28 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1564-1&slc_lang=fa&sid=1 Maryam Tohidi مریم توحیدی m.tohidi@jsu.ac.ir 10031947532846009224 10031947532846009224 No Jundi-Shapur University of Technology دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول، دزفول، ایران Seyyedeh Fatemeh Molaeezadeh سیده فاطمه مولایی‌زاده fmolaee@jsu.ac.ir 10031947532846009225 10031947532846009225 Yes Jundi-Shapur University of Technology دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول، دزفول، ایران Mojtaba Gandomkar مجتبی گندم کار gandomkar@jsu.ac.ir 10031947532846009226 10031947532846009226 No Jundi-Shapur University of Technology دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول، دزفول، ایران