fa طراحی تقویت کننده هدایت انتقالی توان پایین، ولتاژ پایین خودبایاس شونده با ترانزیستورهای فین فت الکترونیک Electronic پژوهشي Research <span dir="RTL">در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش</span> زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده است. از سوی دیگر با استفاده از فین فت گیت مجزا به جای سی‌ماس می توان پاسخ فرکانسی و بهره را بهبود بخشید بدون آنکه توان اضافی مصرف شود. در مدل فین فت استفاده شده به دلیل دارا بودن دو گیت مجزا، می توان از یک گیت برای بایاس ترانزیستور و از گیت دیگر برای اعمال ورودی استفاده نمود. این مدار برای جبران سازی فرکانسی از سیستم <strong>DFC</strong><span dir="RTL"> بهره برده است تا میزان خازن های جبران سازی کوچک شوند. برای طراحی مدار تقویت کننده هدایت انتقالی از مدل فین فت </span><strong>20nm</strong><span dir="RTL"> براساس مدل </span><strong>PTM</strong><span dir="RTL"> استفاده شده است. در نهایت نتایج شبیه سازی با </span><strong>HSPICE</strong><span dir="RTL"> مقدار بهره </span><strong>39.27 dB</strong><span dir="RTL">، حاشیه فاز </span><strong>45.05^o</strong><span dir="RTL"> و فرکانس بهره واحد </span><strong>8.26 MHz</strong><span dir="RTL"> به ازای خازن بار </span><strong>3 pF</strong><span dir="RTL"> با توان تلفاتی نهایی </span><strong>37.75 &micro;W</strong><span dir="RTL"> می باشد. مقدار ولتاژ </span><strong>DC</strong><span dir="RTL"> خروجی نیز در ولتاژ تغذیه </span><strong>V_DD=0.5 V</strong><span dir="RTL"> برابر </span><strong>0.269 V</strong><span dir="RTL"> قرارداده شده است.&nbsp;</span> In this paper, a low voltage OTA has been designed and simulated using independent gate FinFET transistors for low power applications. Pseudo differential input stage and self-bias techniques have been used for rail-to-rail operation of the input stage of the amplifier. Furthermore, by using double gate FinFET instead of CMOS transistors, frequency response and power dissipation have been improved. For the independent gate FinFET, one gate has been used for biasing and the other has been used for input signal. DFC method has been used for frequency compensation employing small capacitor. 20nm PTM model has been used for amplifier simulations using HSPICE. Simulation results show that amplifier gain is 39.27dB with 45.05 degrees PM and unity gain frequency is 8.26 MHz with a 3pF loading capacitor. The total power dissipation is 37.75 &micro;W, using 0.5V supply voltage and 0.267V output stage DC voltage.<strong><span dir="RTL"></span></strong> توان پایین, ولتاژ پایین, تقویت کننده هدایت انتقالی, فین فت گیت مجزا. Low power, Low voltage, OTA, Independent gate FinFET. 37 47 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1090-4&slc_lang=fa&sid=1 Alireza Hassanzadeh علیرضا حسن زاده a_hassanzadeh@sbu.ac.ir 10031947532846008516 10031947532846008516 Yes Shahid Beheshti University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه شهید بهشتی- تهران Mehdi Shirazi مهدی شیرازی shirazi@mail.sbu.ac.ir 10031947532846008517 10031947532846008517 No Shahid Beheshti University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه شهید بهشتی- تهران