fa یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <div style="text-align: justify;"><strong><span dir="RTL">خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیود&shy;های خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیت&shy;های جانبی با اتم&shy;های نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت&shy;های ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت&shy;ها و کانال نیمه&shy;هادی می&shy;گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتم&shy;های بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتم&shy;های بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار </span></strong>&mu;A<strong><span dir="RTL">56/8 است.</span></strong></div> The electrical properties and rectification behavior of the graphene self-switching diodes by side gates doping with nitrogen and boron atoms were investigated using density functional tight-binding method. The devices gates doping changes the electrical conductivity of the side gates and the semiconductor channel nanoribbons. As a result, the threshold voltage value under the forward bias is significantly reduced, so that in the boron and nitrogen doped 565 structures, this voltage is close to zero. Also, relative to the undoped structure, the electric current under the forward and reverse biases of the doped devices are increased and decreased, respectively. Among all the structures, the boron atoms doped 565 structure has the highest rectification ratio of 558.58 and also, the maximum current under the forward bias is related to this structure with the value of 8.56 &mu;A.<br> &nbsp; دیود خودسوئیچ گرافنی, نانونوار گرافنی آرمچیر, آلایش گیت‌های جانبی, بور, نیتروژن, تنگ بست تابعی چگالی Graphene self-switching diode, Armchair graphene nanoribbon, Side gates doping, Boron, Nitrogen, Density functional tight-binding. 9 16 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1277-1&slc_lang=fa&sid=1 hassan ghaziasadi حسن قاضی اسدی ghaziasadi@iau-saveh.ac.ir 100319475328460010711 100319475328460010711 No Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh دانشکده فنی ومهندسی، واحد ساوه، دانشگاه آزاد اسلامی، ساوه payman nayebi پیمان نایبی nayebi@iau-saveh.ac.ir 100319475328460010712 100319475328460010712 Yes Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh دانشکده فنی ومهندسی، واحد ساوه، دانشگاه آزاد اسلامی، ساوه