fa بررسی اثر هاله ناخالصی کانال و شیب غلظت آن در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با هاله خطی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این تحقیق ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با یک هاله ناخالصی خطی در کانال پیشنهاد شده و اثر تغییر شیب آلایش هاله خطی بر شاخص های جریان روشنایی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای جریان روشنایی، جریان نشتی، شاخص توان تاخیر و فرکانس قطع بررسی می شود. ترانزیستور پیشنهادی با استفاده از روش </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">NEGF</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> شبیه سازی شده است. نشان داده ایم که ناحیه هاله خطی نوع </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">N</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> در طرف سورس کانال ذاتی، سبب افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای&nbsp; </span></span><span dir="LTR" style="position:relative;top:6.0pt;"><img alt="" height="24" src="file:///C:UsersamirrezaAppDataLocalTempmsohtmlclip1�1clip_image002.gif" width="65" ></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">می شود. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز، سبب افزایش جریان روشنایی و البته افزایش شاخص توان تاخیر می شود. همچنین با بررسی اثر تغییر غلظت ناحیه کم غلظت سورس و درین مشاهده می شود که در غلظت های کمتر، شاخص توان تاخیر و وابستگی آن به شیب هاله کاهش می یابد.&nbsp; با محاسبه فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با هاله خطی&nbsp; نشان دادیم که ایجاد هاله خطی یک راه کار افزایش فرکانس قطع افزاره است. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز سبب بهبود مشخصه فرکانس قطع به ازای ولتاژ گیت می شود.</span></span> In this work, a lightly doped drain and source CNTFET with a linear channel impurity halo is proposed and the effect of linear halo slope variation on ON current, ON&ndash;OFF current ratio, leakage current, power&ndash;delay product (PDP) and cutoff frequency has been investigated. Proposed linear halo lightly doped drain and source CNTFETs has been simulated using non equilibrium Green&rsquo;s function (NEGF) method. We find that the linear halo in source side of the intrinsic channel improves the ON&ndash;OFF current ratio for . The ON current and power&ndash;delay product (PDP) are increased by reducing the slope of the linear halo region. Also, by decreasing the concentration of lightly doped drain and source regions,we observe a decrease in the PDP and its dependence on the halo concentration slope. By calculating the cutoff frequency of linear halo lightly doped drain and source CNTFET shown that creating a linear halo region increases the cutoff frequency. Furthermore, the cutoff frequency is improved by reducing the slope of linear halo region. ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی(CNTFET), آلایش سبک ناحیه سورس و درین(LDDS), فرکانس قطع, هاله خطی (LH), تابع گرین غیرتعادلی (NEGF), Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET), Lightly Doped Drain and Source (LDDS), Cutoff Frequency (fT), Linear Halo (LH), Non equilibrium Green’s Function (NEGF). 17 23 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-451-2&slc_lang=fa&sid=1 mohammad javad hejazifar محمدجواد حجازی فر m.hejazifar@srbiau.ac.ir 10031947532846002877 10031947532846002877 Yes Instructor, Islamic Azad University of Talesh, Talesh, Iran واحد سما تالش- دانشگاه آزاد اسلامی seyed ali sedigh ziabari سید علی صدیق ضیابری sedigh@iaurasht.ac.ir 10031947532846002878 10031947532846002878 No Assistant professor, Faculty member Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University of Rasht, Rasht, Iran گروه برق، واحد رشت- دانشگاه آزاد اسلامی