fa ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">با محدود شدن طول ترانزیستورهای ‌سیلیکونی، ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان یک گزینه مناسب برای نسل جدید نانو ترانزیستورهای اثر میدانی به‌ شمار می‌روند. در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی معرفی شده است.</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> افزاره پیشنهادی با ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با دی‌الکتریک دو قسمتی و ساختار پایه مقایسه شده است. افزاره پیشنهاد شده یک نانولوله کربنی زیگزاگ (0</span></span></span><strong><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">, </span></span></strong><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">13) به قطر1 نانومتر است و شامل گیت با دو عایق متفاوت با ثابت‌های دی‌الکتریک 16 و 50 می‌باشد. ناحیه کانال از چهار قسمت ناخالصی نوع </span></span></span><strong><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">p</span></span></strong><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> به ترتیب با چگالی‌های ناخالصی، ¹</span></span></span><strong><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">nm^-</span></span></strong><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">8/0، ¹</span></span></span><strong><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">nm^-</span></span></strong><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">6/0، ¹</span></span></span><strong><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">nm^-</span></span></strong><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">4/0 و ¹</span></span></span><strong><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">nm^-</span></span></strong><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">2/0 ساخته شده است. طول هر بخش معادل 5 نانومتر می‌باشد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد تزریق ناخالصی در کانال به بهبود اثرهای کانال کوتاه همانند کاهش سد پتانسیل ناشی از القای درین و نوسان‌های زیرآستانه کمک می‌کند و موجب کاهش جریان نشتی و افزایش نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش می‌گردد. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات افزاره‌ی پیشنهاد شده از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است.</span></span></span> Carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs), are considered as a proper candidate to improve the silicon transistor performance at short channel regime. In this paper a novel CNTFET with lightly doped channel and dual section dielectric (LIC-DSD-CNTFET) is proposed. This structure is compared with conventional (C-CNTFET) and dual section dielectric (DSD) structures with similar dimensions. The proposed structure is simulated with (13, 0) CNT and 1 nm diameter, and dual section gates with dielectric constant of 16 and 50.&nbsp;&nbsp; Channel is divided to four p-type sections with density of 0.2, 0.4, 0.6, and 0.8 nm-1 with length of 5 nm for each section. Simulation results show that the proposed structure improves short channel effects such as drain induced barrier lowering and subthreshold swing. Furthermore, LIC-DSD-CNTFET structure lowers the leakage current and improves current ratio in comparison with DSD and conventional structures. Simulations have been performed based on self-consistent solution of Poisson and Schrodinger equations. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی, دی الکتریک دو قسمتی, جریان نشتی, اثرهای کانال کوتاه, نسبت جریان. Carbon Nanotube Field Effect Transistor, Leakage Current, Short Channel Effects, Dual Section Dielectric, Current ratio 9 16 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-451-1&slc_lang=fa&sid=1 ali naderi علی نادری a.naderi@kut.ac.ir 10031947532846002875 10031947532846002875 Yes Assistant Professor, Department of Energy, Kermanshah University of Technology, Kermanshah, Iran دانشکده انرژی- دانشگاه صنعتی کرمانشاه-کرمانشاه maryam ghodrati مریم قدرتی m_ghodrati60@yahoo.com 10031947532846002876 10031947532846002876 No Department of Energy, Kermanshah University of Technology, Kermanshah, Iran دانشکده انرژی- دانشگاه صنعتی کرمانشاه-کرمانشاه