fa بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوعP با مواد کانالSi ,InP, InGaP الکترونیک Electronic پژوهشي Research <div><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله با استفاده از روش</span></span></span></span> <span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد </span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد </span></span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">InGaP</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">، </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">InP </span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">و </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">Si</span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> مورد بررسی قرار گرفته است. </span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت </span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">(</span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">GAA</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) </span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان حالت روشن به خاموش در این ادوات مورد بررسی قرار گرفته است. مشکل اصلی ترانزیستورهای بدون پیوند، جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه می&shy;باشد. با انتخاب مواد با شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا در باند ظرفیت </span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">می&shy;توان </span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">جریان حالت خاموش را کاهش داد، بدون اینکه جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا کند. از این رو ترانزیستور بدون پیوند با کانال </span></span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">InGaP </span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر </span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه است. برای این ترانزیستور مقادیر دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است با</span></span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">mV/V</span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">14،&nbsp; </span></span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">mV/dec</span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">1</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">/61،</span></span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:11.0pt;">A</span></span></span>^{<span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">15</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:11.0pt;">-</span></span></span></span>}<span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">10</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:11.0pt;">&times;</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">26/</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">2،</span></span></span></span><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:11.0pt;">A</span></span></span>^{<span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">6</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:11.0pt;">-</span></span></span></span>}<span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">10</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:11.0pt;">&times;</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">94/5 </span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">و</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">10⁹</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:11.0pt;">&times;</span></span></span></span><span dir="RTL"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">62/2.</span></span></span></span></div> In this paper, using non-equilibrium Green&#39;s function method, the performance of junctionless transistors that are with Si, InP, and InGaP channels material are investigated.The shape of transistor&rsquo;s gate is chosen as gate all around (GAA)<span dir="RTL">.</span> Parameters such as DIBL, subthreshold slope (SS), OFF-state current, ON-state current and ON/OFF current ratio in these devices are investigated. The main problem of the junctionless transistors is the OFF-state current and the subthreshold slope. By choosing materials with a large bandgap and a high density of valence state, it is possible to reduce the OFF-state current without noticeable reducing of the ON-state current. Therefore, device with InGaP channel material has better characteristics in terms of OFF-state and the SS. The values of DIBL, SS, OFF-state current, ON-state current and ON/OFF current ratio in gate length 10 nm are 14 mV / V, 61.1 mV/ dec, 2.26&times;10^-15A, 5.94&times;10^-6A, and 2.62&times;10⁹. ترانزیستورهای بدون پیوند, دیبل, شیب زیر آستانه, جریان خاموشی, نسبت جریان روشنی به خاموشی Junctionless Transistors, DIBL, Sub Threshold Swing, Off Current, On Current, and On/Off Current. 1 7 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1075-3&slc_lang=fa&sid=1 farshad bajelan فرشاد باجلان aghil.bajelan@yahoo.com 10031947532846002871 10031947532846002871 Yes PhD Student, Islamic Azad University, Science and Research Branch, Tehran دانشکده فنی- دانشگاه آزاداسلامی واحد علوم و تحقیقات-تهران arash yazdanpanah آرش یزدان پناه گوهرریزی ar_yazdanpanah@sbu.ac.ir 10031947532846002872 10031947532846002872 No Assistant Professor, Department of Electrical Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran دانشکده مهندسی برق-دانشگاه شهید بهشتی-تهران rahim faez رحیم فائز faez@sharif.edu 10031947532846002873 10031947532846002873 No Associate Professor, Department of Electrical Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Sharif University, Tehran, Iran دانشکده مهندسی برق-دانشگاه صنعتی شریف-تهران ghaffar darvish غفار درویش Darvish_gh@srbiau.ac.ir 10031947532846002874 10031947532846002874 No Assistant Professor, Islamic Azad University, Science and Research Branch, Tehran دانشکده فنی-دانشگاه آزاد علوم تحقیقات-تهران