<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</title>
<title_fa>نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران</title_fa>
<short_title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</short_title>
<subject>Engineering &amp; Technology</subject>
<web_url>http://jiaeee.com</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>2676-5810</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>2676-6086</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>10.61882/jiaeee</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1398</year>
	<month>4</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2019</year>
	<month>7</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>16</volume>
<number>2</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>مدل‌سازی و شبیه‌سازی ترانزیستور تک‌الکترونی با جزیره مولکولی</title_fa>
	<title>Modeling and Simulation of a Molecular Single-Electron Transistor</title>
	<subject_fa>الکترونیک</subject_fa>
	<subject>Electronic</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;div style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;
&lt;div dir=&quot;ltr&quot; style=&quot;text-align: left;&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;DOR:&amp;nbsp;&lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;color: rgb(255, 255, 255); font-family: yekan; font-size: 16px; text-align: center; background-color: rgb(75, 72, 70);&quot;&gt;98.1000/1735-7152.1398.16.65.0.2.1605.1610&lt;/span&gt;&lt;/div&gt;
&lt;br&gt;
&lt;br&gt;
&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;در این مقاله، ابتدا برای درک مفهوم تزویج به تبیین چگالی حالات مولکول&amp;shy;های تزویج&amp;shy;شده به الکترودهای فلزی خواهیم پرداخت و برمبنای این مفهوم، تزویج ضعیف و قوی را برای مولکول&amp;shy;های متصل&amp;shy;شده به الکترودهای فلزی شرح می&amp;shy;دهیم. در ادامه از توصیف مدل خازنی برای کشف &lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;ارتباط انرژی افزودن&lt;/span&gt;&lt;a href=&quot;#_edn1&quot; name=&quot;_ednref1&quot; title=&quot;&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;strong&gt;[i]&lt;/strong&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/a&gt; &lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;یا آستانه (انرژی لازم برای اضافه کردن الکترونی به مولکول)&lt;/span&gt; به الکترون&amp;shy; خواهی&lt;a href=&quot;#_edn2&quot; name=&quot;_ednref2&quot; title=&quot;&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;strong&gt;[ii]&lt;/strong&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/a&gt; &lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;و انرژی یونش&lt;/span&gt;&lt;a href=&quot;#_edn3&quot; name=&quot;_ednref3&quot; title=&quot;&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;strong&gt;[iii]&lt;/strong&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/a&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt; مولکول در محیط&lt;/span&gt; &lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;ترانزیستور تک&amp;shy; الکترونی، &lt;/span&gt;&lt;strong&gt;SET&lt;a href=&quot;#_edn4&quot; name=&quot;_ednref4&quot; title=&quot;&quot;&gt;&lt;strong&gt;[iv]&lt;/strong&gt;&lt;/a&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;، &lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;استفاده &lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;خواهیم کرد و نشان می&amp;shy;دهیم برای محاسبه جریان ترانزیستور تک&amp;shy; الکترونی با جزیره مولکولی باید از رژیم انسداد کولنی کوانتومی بهره بگیریم. رابطه نرخ تونل&amp;shy;زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی را با جایگزین&amp;shy; کردن یک تابع لورنسی (به&#8204;عنوان &lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;عبارت احتمال عبور تونلی) &lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;در رابطه نرخ تونل&amp;shy;زنی در نظریه ارتدکس، استنتاج خواهیم کرد. درنهایت، برمبنای رابطه نرخ تونل&amp;shy;زنی بدست&amp;shy; آمده برای رژیم انسداد کولنی کوانتومی و به کمک نرم&amp;shy; افزار&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;SIMON&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt; به محاسبه منحنی جریان (نوسانات کولنی) &lt;/span&gt;&lt;strong&gt;SET&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;ها با جزیره مولکولی خواهیم پرداخت. مولکول&amp;shy;های مورد مطالعه، بنزن و کربن 60 هستند.&lt;/span&gt;

&lt;div&gt;&amp;nbsp;
&lt;hr align=&quot;left&quot; size=&quot;1&quot; width=&quot;33%&quot; &gt;
&lt;div id=&quot;edn1&quot;&gt;&lt;a href=&quot;#_ednref1&quot; name=&quot;_edn1&quot; title=&quot;&quot;&gt;[i]&lt;/a&gt; Addition&lt;/div&gt;

&lt;div id=&quot;edn2&quot;&gt;&lt;a href=&quot;#_ednref2&quot; name=&quot;_edn2&quot; title=&quot;&quot;&gt;[ii]&lt;/a&gt; Electron Affinity&lt;/div&gt;

&lt;div id=&quot;edn3&quot;&gt;&lt;a href=&quot;#_ednref3&quot; name=&quot;_edn3&quot; title=&quot;&quot;&gt;[iii]&lt;/a&gt; Ionization Energy&lt;/div&gt;

&lt;div id=&quot;edn4&quot;&gt;&lt;a href=&quot;#_ednref4&quot; name=&quot;_edn4&quot; title=&quot;&quot;&gt;[iv]&lt;/a&gt; Single Electron Transistor (SET)&lt;/div&gt;
&lt;/div&gt;
&lt;/div&gt;
&amp;nbsp;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;div style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;In this paper, to understand the concept of coupling, molecule density of states that coupled to the metal electrodes will be explained then, based on this concept, a weak and strong coupling for the molecules attached to the metal electrodes will be described. Capacitance model is used to explore the connection of addition energy with the Electron affinity and the ionization energy of the molecules. Also it will be showed that to calculate the single-electron current of a molecular single-electron transistor (SET), utilize of quantum-coulomb blockage (QCB) regime is necessary. The tunneling rate in the Quantum Colombian Blockade regimen will be obtained by replacing a Lorentzian function (as the tunneling transmission probability) at the tunneling rate in orthodox theory. Finally, based on the tunneling rate obtained for the QCB regime and using SIMON software, the current (or Coulomb oscillations) of the molecular SETs is calculated. Benzene and Carbon 60 are the two considering molecules for studying.&lt;/div&gt;
</abstract>
	<keyword_fa>ترانزیستور تک‌الکترونی با جزیره مولکولی, نوسانات کولنی, پهن‌شدگی سطوح انرژی, رژیم انسداد کولنی, انرژی افزودن, بنزن و کربن 60</keyword_fa>
	<keyword>Molecular single-electron transistor, Coulomb oscillations, energy-levels broadening, Coulomb blockade regime, addition energy, Benzene and C60.</keyword>
	<start_page>65</start_page>
	<end_page>75</end_page>
	<web_url>http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1151-1&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Ali</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Mir</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>علی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>میر</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>mir.a@lu.ac.ir</email>
	<code>10031947532846004610</code>
	<orcid>10031947532846004610</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Faculty of Engineering, Lorestan University, Khorram-Abad, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه لرستان- خرم‌آباد- ایران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mostafa</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Miralaie</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مصطفی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>میرعلایی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>miralaei.mo@fe.lu.ac.ir</email>
	<code>10031947532846004611</code>
	<orcid>10031947532846004611</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Faculty of Engineering, Lorestan University, Khorram-Abad, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه لرستان- خرم‌آباد- ایران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
